[实用新型]一种电阻变动小的晶体管有效
| 申请号： | 201320554965.6 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN203481239U | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 洪元本;彭成炫 | 申请（专利权）人： | 江西省一元数码科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 实用新型涉及一种晶体管，属于半导体领域。一种电阻变动小的晶体管，包括晶体管主体和应力施加部，所述的晶体管主体包括形成基板、层叠于形成基板上的第一半导体层和比第一半导体层带隙大的第二半导体层，所述的晶体管主体设置于应力施加部上；所述的应力施加部为由保持基板主体和电压施加电路构成的保持基板。本实用新型与现有技术相比，具有如下优点：能实现温度变化引起的薄层电阻的变动小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 变动 晶体管 | ||
【主权项】：
一种电阻变动小的晶体管，包括晶体管主体和应力施加部，其特征在于：所述的晶体管主体包括形成基板、层叠于形成基板上的第一半导体层和比第一半导体层带隙大的第二半导体层，所述的晶体管主体设置于应力施加部上；所述的应力施加部为由保持基板主体和电压施加电路构成的保持基板。
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