[实用新型]一种掩埋式势垒分压场效应管

摘要

本实用新型公开一种掩埋式势垒分压场效应管，其主要由背金层、N+衬底、掩埋层、工作层和焊区组成；掩埋层设置在N+衬底的上方；第二N型外延层位于掩埋层的上方，焊区设置在第二N型外延层的上方；背金层（1）涂覆在N+衬底的下表面；在外延层上根据耐压的需要确定向下挖槽的深度，提前掩埋分压势垒，并以与栅极相似的网格结构连接到源极，分两层制作高压功率场效应器件，当源极和漏极有电压（不导通）时，掩埋的势垒之间形成耗尽层，起到耐压的作用。同时，上述结构中掩埋分压势垒和上面的沟槽的栅极形成耗尽层，可以大幅消除栅极和漏极之间的电容，可以大幅减少栅极开关时的充电时间，从而提高了MOS管的开关速度。

主权项

一种掩埋式势垒分压场效应管，其特征在于：主要由背金层（1）、N+衬底（2）、掩埋层（3）、工作层（4）和焊区（5）组成；掩埋层（3）设置在N+衬底（2）的上方；第二N型外延层（4‑1）位于掩埋层（3）的上方，焊区（5）设置在第二N型外延层（4‑1）的上方；背金层（1）涂覆在N+衬底（2）的下表面；掩埋层（3）由第一N型外延层（3‑1）、良导体（3‑2）、二氧化硅氧化层（3‑3）和掩埋层保护玻璃（3‑4）构成；网格状的良导体（3‑2）全部内嵌在第一N型外延层（3‑1）中，且网格状的良导体（3‑2）在第一N型外延层（3‑1）中呈战壕状矩阵式分布；每个良导体（3‑2）的侧面和底面覆有二氧化硅氧化层（3‑3）、顶面覆有掩埋层保护玻璃（3‑4）；工作层（4）由第二N型外延层（4‑1）、多晶硅栅极（4‑3）、栅氧化层（4‑2）、体区（4‑4）、源区（4‑5）和栅极保护玻璃（4‑6）构成；网格状的多晶硅栅极（4‑3）的底部嵌入第二N型外延层（4‑1）中，多晶硅栅极（4‑3）的侧面和底面覆有栅氧化层（4‑2），多晶硅栅极（4‑3）的顶部覆有栅极保护玻璃（4‑6）；体区（4‑4）设置在第二N型外延层（4‑1）的上、多晶硅栅极（4‑3）的四周；每个体区（4‑4）的上部设有源区（4‑5）；焊区（5）包括栅极和源极的焊区；栅极焊区和源极焊区设在栅极保护玻璃（4‑6）上部，并通过开设在焊区下部的栅极和源极的接触孔（5‑1）连接到多晶硅栅极（4‑3）和源区（4‑5）。