[实用新型]绝缘衬底上的硅材料顶硅层杨氏模量的测试结构有效
| 申请号： | 201320271904.9 | 申请日： | 2013-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN203241308U | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 孙超;周再发;黄庆安;李伟华 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01N3/38 | 分类号： | G01N3/38;B81B7/02 |
| 代理公司： | 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 | 代理人： | 齐旺 |
| 地址： | 211118 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种绝缘衬底上的硅材料顶硅层杨氏模量的测试结构，包括：由绝缘衬底上的硅材料中的硅衬底形成的衬底，在衬底上设有由绝缘衬底上的硅材料中的绝缘层形成的第一绝缘区、第二绝缘区、第三绝缘区及第四绝缘区，在第一绝缘区、第二绝缘区、第三绝缘区及第四绝缘区上分别设有由绝缘衬底上的硅材料中的顶硅层形成的第一锚区、检测电极、第二锚区及激励电极，在检测电极与激励电极之间设有由绝缘衬底上的硅材料中的顶硅层形成的谐振梁，谐振梁的一端连接于第一锚区，谐振梁的另一端连接于第二锚区，所述谐振梁立于衬底的上方且受激励电极的激励产生面内横向谐振。本实用新型能够提高绝缘衬底上的硅材料顶硅层杨氏模量的测量准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 衬底 材料 顶硅层杨氏模量 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种绝缘衬底上的硅材料顶硅层杨氏模量的测试结构，包括：由绝缘衬底上的硅材料中的硅衬底形成的衬底（100），其特征在于，在衬底（100）上设有由绝缘衬底上的硅材料中的绝缘层形成的第一绝缘区（101）、第二绝缘区（102）、第三绝缘区（103）及第四绝缘区（104），在第一绝缘区（101）、第二绝缘区（102）、第三绝缘区（103）及第四绝缘区（104）上分别设有由绝缘衬底上的硅材料中的顶硅层形成的第一锚区（106）、检测电极（107）、第二锚区（108）及激励电极（109），在检测电极（107）与激励电极（109）之间设有由绝缘衬底上的硅材料中的顶硅层形成的谐振梁（105），谐振梁（105）的一端连接于第一锚区（106），谐振梁（105）的另一端连接于第二锚区（108），所述谐振梁（105）立于衬底（100）的上方且受激励电极（109）的激励产生面内横向谐振。
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