[实用新型]绝缘栅双极型晶体管有效

专利信息
申请号: 201320220752.X 申请日: 2013-04-26
公开(公告)号: CN203481234U 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 汉斯-约阿希姆·舒尔茨;弗兰克·普菲尔什;霍尔格·豪斯肯 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L29/739 分类号: H01L29/739;H01L29/06
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供了一种绝缘栅双极型晶体管,包括:第一基区,具有第二导电类型;源区,具有不同于第二导电类型的第一导电类型并与第一基区形成第一pn结;漂移区,具有第一导电类型并与第一基区形成第二pn结;集电区,具有第二导电类型;至少一个沟槽,其中,至少一个沟槽由栅电极填充,至少一个沟槽具有第一沟槽部和第二沟槽部,第一沟槽部具有第一宽度,第二沟槽部具有第二宽度,第二宽度与第一宽度不同;以及场终止区,具有第一导电类型,位于漂移区和集电区之间并与集电区形成第三pn结,其中,场终止区包括深能级第一导电类型掺杂区。场终止区具有深能级掺杂区,可以保证在绝缘栅双极型晶体管断开期间功率损耗降低也能够获得良好的短路鲁棒性。
搜索关键词: 绝缘 栅双极型 晶体管
【主权项】:
一种绝缘栅双极型晶体管,包括半导体本体,其特征在于,包括: 第一基区,具有第二导电类型; 源区,具有不同于所述第二导电类型的第一导电类型并与所述第一基区形成第一pn结; 漂移区,具有不同于所述第二导电类型的第一导电类型并与所述第一基区形成第二pn结; 集电区,具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型; 至少一个沟槽,其中,所述至少一个沟槽由栅电极填充,并且其中,所述至少一个沟槽具有第一沟槽部和第二沟槽部,所述第一沟槽部具有第一宽度,所述第二沟槽部具有第二宽度,所述第二宽度与所述第一宽度不同;以及 场终止区,具有所述第一导电类型,位于所述漂移区和所述集电区之间并与所述集电区形成第三pn结, 其中,所述场终止区包括深能级第一导电类型掺杂区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司,未经英飞凌科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320220752.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top