[实用新型]半导体激光装置有效

专利信息
申请号: 201320141954.5 申请日: 2013-03-26
公开(公告)号: CN203150902U 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: 余勤跃;樊仲维;扈金富 申请(专利权)人: 温州泛波激光有限公司
主分类号: H01S5/40 分类号: H01S5/40;H01S5/06;G02B27/10
代理公司: 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 代理人: 宋鹰武
地址: 325001 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型涉及激光技术领域,提供了一种半导体激光装置,该激光装置包括沿光路依次设置的半导体激光阵列、快轴准直镜、变栅距衍射光栅和反射镜;该半导体激光阵列包括至少2个激光发光单元,激光发光单元发出的激光经过快轴准直镜准直后入射到变栅距衍射光栅,并经变栅距衍射光栅衍射后形成平行光入射到反射率为1%-15%的反射镜,反射镜设置为与衍射后的平行光垂直,衍射后的平行光经反射镜透射出超高亮度的激光束。本实用新型可提供超高亮度的激光光束,且整个装置简单、稳定、可靠。
搜索关键词: 半导体 激光 装置
【主权项】:
一种半导体激光装置,其特征在于,所述激光装置包括沿光路依次设置的:半导体激光阵列,快轴准直镜,变栅距衍射光栅,反射镜;所述半导体激光阵列包括至少2个激光发光单元,所述激光发光单元发出的激光经过快轴准直镜准直后入射到变栅距衍射光栅,并经变栅距衍射光栅衍射后形成平行光入射到反射率为1%‑15%的反射镜,所述反射镜设置为与衍射后的平行光垂直,衍射后的平行光经反射镜透射出高亮度的激光束。
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