[实用新型]一种带栅极保护的IGBT器件有效

专利信息
申请号: 201320085846.0 申请日: 2013-02-25
公开(公告)号: CN203103298U 公开(公告)日: 2013-07-31
发明(设计)人: 杨林;严向阳 申请(专利权)人: 佛山市蓝箭电子股份有限公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L29/739
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 艾持平
地址: 528051 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种带栅极保护的IGBT器件,由三个电极组成,分别是栅极G、集电极C和发射极E,其特征是,在IGBT器件的栅极G与发射极E之间并联有双向稳压二极管D,该双向稳压二极管D与IGBT器件封装在一起,这样的设计,将双向稳压二极管以并联的方式封装在一起,形成一个集成度更高的IGBT分立器件,可简化外围电路、降低使用成本、提高装配效率的同时,避免脉冲尖峰、浪涌导致的失效现象发生,提高产品的可靠性。
搜索关键词: 一种 栅极 保护 igbt 器件
【主权项】:
一种带栅极保护的IGBT器件,由三个电极组成,分别是栅极(G)、集电极(C)和发射极(E),其特征是,在IGBT器件的栅极(G)与发射极(E)之间并联有双向稳压二极管(D),该双向稳压二极管(D)与IGBT器件封装在一起。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市蓝箭电子股份有限公司,未经佛山市蓝箭电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320085846.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top