[实用新型]一种带栅极保护的IGBT器件有效
| 申请号： | 201320085846.0 | 申请日： | 2013-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN203103298U | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 杨林;严向阳 | 申请（专利权）人： | 佛山市蓝箭电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 艾持平 |
| 地址： | 528051 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 保护 igbt 器件 | ||
【权利要求书】：
一种带栅极保护的IGBT器件，由三个电极组成，分别是栅极（G）、集电极（C）和发射极（E），其特征是，在IGBT器件的栅极（G）与发射极（E）之间并联有双向稳压二极管（D），该双向稳压二极管（D）与IGBT器件封装在一起。
根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征是，所述双向稳压二极管（D）的阳极相向对接，将加在栅极（G）与发射极（E）间的正反向电压箝位。
根据权利要求1或2所述的IGBT器件，其特征是双向稳压二极管（D）的击穿电压（VZ）按IGBT器件的栅极（G）与发射极（E）之间的驱动电压（UGE）的1.1倍和IGBT器件的栅极（G）与发射极（E）之间可承受的极限电压（VGES）的0.9倍之间取值，即VZ=1.1UGE～0.9VGES。
根据权利要求3所述的IGBT器件，其特征是极限电压（VGES）为20V，驱动电压（UGE）为15V时，双向稳压二极管（D）的击穿电压（VZ）为16.5V～18V。
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