[实用新型]一种新型离子束复合处理系统有效
| 申请号： | 201320062068.3 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN203096158U | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 周宏宇;曾永远;谢昭觉 | 申请（专利权）人： | 杭州五源科技实业有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/35;C23C14/48 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 310030 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种离子束复合处理系统，所述离子束复合处理系统包括：真空室、混合离子束注入装置、磁控溅射靶和离子溅射源。本实用新型结合了磁控溅射和离子注入技术，具有气体离子注入、金属离子注入、离子复合注入的功能，适合于金属材料、光学膜、电导膜、半导体材料等表面改性，具有较高的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 离子束 复合 处理 系统 | ||
【主权项】：
一种离子束复合处理系统，其特征在于，所述离子束复合处理系统包括：真空室、混合离子束注入装置、磁控溅射靶和离子溅射源；其中，所述混合离子束注入装置位于所述真空室的上方，所述真空室的内部设有工件台，所述工件台位于所述混合离子束注入装置的下方，工件位于所述工件台上；所述磁控溅射靶位于所述混合离子束注入装置的右下侧，所述离子溅射源位于所述磁控溅射靶的右下侧；所述混合离子束注入装置由放电室和离子束线源引出系统组成，所述放电室内设有多个热电子发射器。
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