[发明专利]存储器单元的击穿保护在审
| 申请号： | 201310744314.8 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104517639A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 游文俊;涂国基;张至扬;陈侠威;廖鈺文;杨晋杰;石昇弘;朱文定 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了存储器单元的击穿保护。本发明公开了一种包括下列操作的方法。在复位操作期间，将第一电压施加至一行存储器单元中的每个存储器单元的存取晶体管的栅极，其中，存取晶体管的第一源极/漏极电连接至同一存储器单元中的阻变式随机存取存储器（RRAM）器件的第一电极。当将第一电压施加至存取晶体管的栅极时，将抑制电压施加至多个未选择的存储器单元中的每个存储器单元的RRAM器件的第二电极或存取晶体管的第二源极/漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 击穿 保护 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在复位操作期间，将第一电压施加至一行存储器单元中的每个存储器单元的存取晶体管的栅极，所述存取晶体管的第一源极/漏极电连接至同一存储器单元中的阻变式随机存取存储器（RRAM）器件的第一电极；以及当将所述第一电压施加至所述存取晶体管的所述栅极时，将抑制电压施加至多个未选择的存储器单元中的每个存储器单元的RRAM器件的第二电极或存取晶体管的第二源极/漏极。
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