[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 201310741211.6 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103915364A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 宫城雅宏;新居健一郎 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;郭晓东 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在基板处理装置(10)中,随着液温上升而电阻率逐渐减少的除静电液的温度由温度调整部(61)调整,除静电液的电阻率大于在单张处理装置(1)的处理中利用的处理液(SPM液)的电阻率。除静电液贮存在除静电液贮存部71。然后,在盒体73内保持的多张基板(9)浸渍在除静电液贮存部(71)内的除静电液中,基板(9)的两侧的整个主面与除静电液相接触。由此,基板(9)比较缓慢地被除静电。并且,在除静电处理以及利用基板干燥部(75)进行的干燥处理结束后,在单张处理装置1中向基板的上表面(91)上供给SPM液来进行SPM处理。由此,防止在SPM处理时大量电荷从基板向SPM液快速移动,能够防止基板(9)损伤。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,对基板进行处理,其特征在于,具有:基板保持部,其用于保持基板;处理液供给部,其向第一主面上供给处理液,该第一主面为所述基板的一个主面;除静电液接触部,其使所述基板的所述第一主面以及第二主面与随着液温上升而电阻率逐渐减少的除静电液相接触,该第二主面为所述基板的另一个主面;温度调整部,其对所述除静电液的温度进行调整;控制部,其对所述处理液供给部、所述除静电液接触部以及所述温度调整部进行控制,由此,使所述除静电液的温度处于所述除静电液的电阻率比所述处理液的电阻率大的范围内,并且使所述基板的整个所述第一主面以及整个所述第二主面与所述除静电液相接触并维持接触状态,来使所述基板上的电荷减少,然后将所述处理液向所述基板的所述第一主面上供给来进行规定的处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造