[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置在审
| 申请号： | 201310717574.6 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103715264A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置，属于薄膜晶体管制造技术领域，其可解决现有的氧化物薄膜晶体管由于源、漏极材料中的金属原子与氧化物半导体有源层中的氧离子结合导致氧化物薄膜晶体管的稳定性差的问题。本发明的氧化物薄膜晶体管，其包括：基底，依次形成在基底上的栅极、栅极绝缘层、氧化物半导体有源层，以及源、漏极，还包括设于氧化物半导体有源层与源、漏极之间的过渡层，所述过渡层包括金属层和保护层两层结构，其中，所述保护层与所述氧化物半导体有源层接触，所述金属层与所述源、漏极接触，且所述保护层材料为金属氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管，其包括：基底，依次形成在基底上的栅极、栅极绝缘层、氧化物半导体有源层，以及源、漏极，其特征在于，还包括设于氧化物半导体有源层与源、漏极之间的过渡层，所述过渡层包括金属层和保护层，其中，所述保护层与所述氧化物半导体有源层接触，所述金属层与所述源、漏极接触，且所述保护层材料为金属氧化物。
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