[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201310713363.5 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN104733536A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 高胜;柳冬冬;敖伟;袁波 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管包括基板、形成于基板上的多晶硅层、形成于多晶硅层上的栅极绝缘层及形成于栅极绝缘层上的栅极层，多晶硅层上形成有沟道区、源极区和漏极区，栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层区、第二栅极绝缘层区和第三栅极绝缘层区，第二栅极绝缘层区的厚度小于第一栅极绝缘层区和第三栅极绝缘层区的厚度，栅极层覆盖第二栅极绝缘层区并部分覆盖第一栅极绝缘层区和第三栅极绝缘层区。该薄膜晶体管采用不同厚度的栅极绝缘层来减小沟道区与源极区或漏极区接触部分的电场，从而达到降低关闭时的漏电流的目的。相对于采用LDD结构的薄膜晶体管，其在制造时就无需两次离子注入过程，从而简化了制程，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括基板、形成于基板上的多晶硅层、形成于多晶硅层上的栅极绝缘层及形成于栅极绝缘层上的栅极层，所述多晶硅层上形成有沟道区、源极区和漏极区，其特征在于，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层区、第二栅极绝缘层区和第三栅极绝缘层区，所述第二栅极绝缘层区的厚度小于第一栅极绝缘层区和第三栅极绝缘层区的厚度，所述栅极层覆盖所述第二栅极绝缘层区并部分覆盖第一栅极绝缘层区和第三栅极绝缘层区。
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