[发明专利]有机图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201310713319.4 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN104733489A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健;肖德元;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/30 | 分类号： | H01L27/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种有机图像传感器及其形成方法，其中所述有机图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，所述半导体衬底的第一表面上形成有像素电路，所述半导体衬底的第二表面上形成有矩阵排布的若干像素下电极，像素下电极通过位于半导体衬底中的通孔互连结构与像素电路相连；位于所述半导体衬底的第二表面上的若干分立的有机光电转化层，每个有机光电转化层覆盖相应的像素下电极，相邻有机光电转化层之间以及相邻像素下电极之间具有隔离层；位于所述有机光电转化层上的上电极。本发明有机图像传感器相邻像素单元之间的干扰小、防止暗电流的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种有机图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，所述半导体衬底的第一表面上形成有像素电路，所述半导体衬底的第二表面上形成有矩阵排布的若干像素下电极，像素下电极通过位于半导体衬底中的通孔互连结构与像素电路相连；在所述半导体衬底的第二表面上形成若干分立的有机光电转化层，每个有机光电转化层覆盖相应的像素下电极，相邻有机光电转化层之间以及相邻像素下电极之间具有隔离层；在所述有机光电转化层上形成上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
