[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法在审
| 申请号： | 201310698622.1 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104733311A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有NMOS区域和PMOS区域，PMOS区域上形成有第一鳍部，NMOS区域上形成有第二鳍部；在半导体衬底上形成第一介质层；在第一介质层表面形成横跨所述第一鳍部和第二鳍部的栅极结构；采用流动性化学气相沉积工艺在第一介质层上形成第二介质层；去除栅极结构两侧的第一鳍部顶部的部分第二介质层，暴露出第一鳍部的顶部表面；在所述第一鳍部表面形成第一半导体层；在第二半导体层表面形成氧化层；去除栅极结构两侧的第二鳍部顶部的部分第二介质层，暴露出第二鳍部的顶部表面；在第二鳍部表面形成第二半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有NMOS区域和PMOS区域，以及位于所述PMOS区域上的第一鳍部和NMOS区域上的第二鳍部，所述半导体衬底上还具有表面低于第一鳍部和第二鳍部的顶部表面的第一介质层；在所述第一介质层表面形成横跨所述第一鳍部和第二鳍部的栅极结构；在第一介质层上形成覆盖第一鳍部和第二鳍部的第二介质层；去除栅极结构两侧的第一鳍部顶部的第二介质层，暴露出所述第一鳍部的顶部表面；在所述第一鳍部表面形成第一半导体层，所述第一半导体层的顶部高度小于栅极结构的高度；去除栅极结构两侧的第二鳍部顶部的第二介质层，暴露出第二鳍部的顶部表面；在所述第二鳍部表面形成第二半导体层，所述第二半导体层的高度小于栅极结构的高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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