[发明专利]一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法在审
| 申请号： | 201310693176.5 | 申请日： | 2013-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN104709874A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李灿;刘桂继;施晶莹;章福祥;丁春梅;陈政 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | C01B3/04 | 分类号： | C01B3/04 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 刘阳 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法。通过在窄禁带半导体光阳极表面修饰空穴储存层的方法，抑制在半导体光阳极表面发生的光致自氧化腐蚀反应引起的性能衰减，促使光阳极光电催化放氧反应的稳定进行。利用本发明提供的方法，能够使窄禁带半导体光阳极的活性工作寿命由数分钟提升至数小时以上，这为实现太阳能分解水制氢技术的工业应用提供了一条崭新的途径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 窄禁带 半导体 阳极 光电 催化 反应 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法，其特征在于：通过在窄禁带半导体光阳极表面修饰空穴储存层，抑制在半导体光阳极表面发生的光致自氧化腐蚀反应引起的性能衰减，促使光阳极光电催化放氧反应的稳定进行，实现太阳能水分解制氢。
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