[发明专利]垂直DMOS晶体管有效
| 申请号： | 201310671827.0 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104051534A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 秀明土子 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;张妍 |
| 地址： | 美国加利福尼亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种晶体管，包含一个半导体本体；一个形成在半导体本体中的第一导电类型的本体区；一个与本体区部分重叠的栅极电极，并且通过栅极电介质层，与半导体本体绝缘；一个第二导电类型的源极扩散区，形成在栅极电极第一侧的本体区中；一个形成在栅极电极第二侧半导体本体中的沟槽，第二侧与第一侧相对，沟槽内衬侧壁电介质层，第二导电类型的掺杂侧壁区沿沟槽的侧壁，形成在半导体本体中，掺杂侧壁区在沟槽侧壁构成晶体管的垂直漏极电流通路。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 dmos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种晶体管，其特征在于，该晶体管包含包含：一个半导体本体；一个第一导电类型的本体区，形成在半导体本体中；一个栅极电极，与本体区部分重叠，并且通过栅极电介质层，与半导体本体绝缘；一个第二导电类型的源极扩散区，形成在栅极电极第一侧的本体区中；一个沟槽，形成在栅极电极第二侧的半导体本体中，栅极电极的第二侧与第一侧相对，沟槽内衬侧壁电介质层；以及一个第二导电类型的掺杂侧壁区，沿沟槽侧壁形成在半导体本体中，掺杂侧壁区构成晶体管的垂直漏极电流通路。
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