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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]集成齐纳二极管的场效应晶体管-CN201610071920.1有效
发明人： 秀明土子 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成齐纳二极管的场效应晶体管。在相同的P‑型半导体衬底中通过多个掺杂区整体制成一个或多个齐纳二极管和一个场效应晶体管，被穿通阻挡区隔开，具有与一个或多个齐纳二极管串联的漏极。N‑型区形成在一个或多个齐纳二极管下方。
集成齐纳二极管场效应晶体管

[发明专利]用于高压器件的低成本的掩膜还原方法及器件-CN201610074498.5有效
发明人： 秀明土子;雷燮光 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体器件及其制备方法，该器件包括P‑型半导体衬底、在半导体衬底上方的N‑型阱、在N‑型阱中被一个或多个P‑型隔离结构隔开的P型区、以及在P‑型区下方被隔离结构隔开的N‑型穿通阻挡层。与N‑型阱相比，穿通阻挡层重掺杂。P‑型区在两个隔离结构之间的宽度等于或小于N‑型穿通阻挡层的宽度。半导体器件可以是双极晶体管、CMOS器件或DMOS器件。利用本发明的技术，任意器件组合可以集成在一个单独芯片上。
用于高压器件低成本还原方法

[发明专利]集成高压器件的方法-CN201310257452.3有效
发明人： 秀明土子 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：本发明主要提出了一种多个有源零部件的制备方法，例如双极晶体管、MOSFET、二极管等，在半导体衬底上，使工作电压较高的有源零部件可以与工作电压较低的器件一起形成在一个公共衬底上，并且引入制备工作电压较低的有源零部件的现有成熟的工艺流程。本发明还涉及一种器件的制备方法，通过在现有器件原有的制备过程中增加一些步骤，而不会对器件性能产生很大的影响，所制成的器件的工作电压高于具有相同功能的现有器件。
集成高压器件方法

[发明专利]垂直DMOS晶体管-CN201310671827.0有效
发明人： 秀明土子 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种晶体管，包含一个半导体本体；一个形成在半导体本体中的第一导电类型的本体区；一个与本体区部分重叠的栅极电极，并且通过栅极电介质层，与半导体本体绝缘；一个第二导电类型的源极扩散区，形成在栅极电极第一侧的本体区中；一个形成在栅极电极第二侧半导体本体中的沟槽，第二侧与第一侧相对，沟槽内衬侧壁电介质层，第二导电类型的掺杂侧壁区沿沟槽的侧壁，形成在半导体本体中，掺杂侧壁区在沟槽侧壁构成晶体管的垂直漏极电流通路。
垂直 dmos 晶体管

[发明专利]带有积累增益植入物的横向双扩散金属氧化物半导体-CN201310089226.9有效
发明人： 秀明土子 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2013-03-20 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向双-扩散金属-氧化物-半导体晶体管器件，包括一个增益注入区，形成在本体和漂流漏极区之间的P-N结附近的那部分积累区中。增益注入区包括导电类型与漂流漏极区相同的附加掺杂物。在增益注入区和P-N结之间有一个缝隙。
带有积累增益植入横向扩散金属氧化物半导体

[发明专利]集成高低压器件的半导体芯片-CN201210346070.3有效
发明人： 秀明土子 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种由高压器件和低压器件构成的半导体芯片。所制备的芯片具有多种不同的配置。例如，该半导体芯片可以包含NPN双极晶体管、PNP双极晶体管、二极管、N通道DMOS晶体管以及类似器件。第一掺杂阱配置成DMOS晶体管、P通道DMOS晶体管以及类似器件的基极。这些及其他实施例将在下文中详细介绍。
集成低压器件半导体芯片

[发明专利]集成高压器件的方法-CN201210348709.1有效
发明人： 秀明土子 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：本发明公开了一种在半导体衬底上，制备双极晶体管、MOSFET、二极管等各种有源器件的方法，从而在工作电压较低的公共衬底上，形成工作电压较高的有源器件，并且引入制备工作电压较低的有源器件的现有的经过验证的工艺流程。本发明还提出了通过在现有器件初始制备工艺中增加一些步骤，一种工作电压高于同功能的现有器件的制备方法，不会大幅影响器件的性能。
集成高压器件方法

[发明专利]级联的高压结型场效应晶体管-CN201110270577.0有效
发明人： 秀明土子 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L27/098 文献下载
摘要：一种级联的结型场晶体管(JFET)器件，包括一个级联到二级低压JFET的一级高压JFET，其中一级和二级JFET的其中之一连接到另一个JFET级的漏极电极上。
级联高压场效应晶体管

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