[发明专利]双磁场复推型真空电弧蒸发源在审

专利信息
申请号: 201310665488.5 申请日: 2013-12-11
公开(公告)号: CN104711523A 公开(公告)日: 2015-06-17
发明(设计)人: 陈大民;王洪权;候玉萍 申请(专利权)人: 陈大民
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32
代理公司: 代理人:
地址: 116600 辽宁省大连*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明属于一种双磁场复推型真空电弧蒸发源,包括安装基体(5)、阴极靶材(3)、压板(16)、引弧装置固定板(8)和压盖(9),其特征在于安装基体(5)上缠有外磁场线圈(1);在压盖(9)的中心装有铁芯(12),在铁芯(12)上缠有内磁场线圈(或永磁体)(4);在引弧装置固定板(8)的上部装有引弧装置(2)。该发明原理、结构简单,靶材利用率高,工件膜层均匀,镀膜质量好,成本低。
搜索关键词: 磁场 复推型 真空 电弧 蒸发
【主权项】:
一种双磁场复推型真空电弧蒸发源,包括安装基体(5)、阴极靶材(3)、压板(16)、引弧装置固定板(8)和压盖(9),其特征在于安装基体(5)上缠有外磁场线圈(1);在压盖(9)的中心装有铁芯(12),在铁芯(12)上缠有内磁场线圈(或永磁体)(4);在引弧装置固定板(8)的上部装有引弧装置(2)。
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