[发明专利]用于实施SRAM写辅助的系统和方法有效
| 申请号： | 201310660943.2 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103871457A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 布雷恩·马修·齐默;马哈茂德·埃尔辛·西纳格尔 | 申请（专利权）人： | 辉达公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 谢栒;魏宁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了用于实施写辅助的系统和方法。初始化写辅助电路并且发起电压崩溃以减小提供到存储元的列供电电压。将存储元的位线升压到低于提供到存储元的低供电电压的经升压的电压电平，并且将由位线所编码的数据写到存储元。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 实施 sram 辅助 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：初始化写辅助电路；发起电压崩溃以减小提供到存储元的列供电电压；将所述存储元的位线升压到低于提供到所述存储元的低供电电压的经升压的电压电平；以及将由所述位线所编码的数据写到所述存储元。
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