[发明专利]无结MOS FET器件的制备方法

摘要

本发明提供了一种无结MOS FET器件的制备方法，在制备无结MOS FET器件的工艺中，通过引入应力工程，使张应力被记忆留在N型MOSFET器件区以提高NMOS的电子迁移率，同时将压应力被记忆留在在P型MOSFET器件区以提高PMOS的空穴迁移率，克服了现有技术中制备出的无结MOSFET载流子迁移率偏低的缺点，提高了器件的驱动电流，进而带来了器件性能的提升，同时制程变动较小，实现成本较低。

主权项

一种无结MOS FET器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：提供一衬底，用以制备第一器件区和第二器件区；在该衬底上形成纳米线结构；步骤S2：在所述纳米线结构表面制备形成一层牺牲氧化层后，对所述第一器件区和第二器件区的纳米线结构进行第一离子掺杂工艺；步骤S3：在所述牺牲氧化层上表面制备形成一单晶硅层后，对所述第一器件区和第二器件区的单晶硅层进行第二离子掺杂工艺；步骤S4：进行一退火工艺，将经过离子掺杂的单晶硅层转化为多晶硅层，刻蚀所述多晶硅层和氧化层形成栅极；步骤S5：在第一器件区和第二器件区分别制备一应力层将所述衬底及栅极的表面予以覆盖；步骤S6：通过进行一退火工艺后将应力记忆在第一器件区和第二器件区，并去除所述应力层；步骤S7：制备形成接触孔并进行金属填充。