[发明专利]无结MOS FET器件的制备方法

权利要求书

1.一种无结MOS FET器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：提供一衬底，用以制备第一器件区和第二器件区；在该衬底上形成纳米线结构；

步骤S2：在所述纳米线结构表面制备形成一层牺牲氧化层后，对所述第一器件区和第二器件区的纳米线结构进行第一离子掺杂工艺；

步骤S3：在所述牺牲氧化层上表面制备形成一单晶硅层后，对所述第一器件区和第二器件区的单晶硅层进行第二离子掺杂工艺；

步骤S4：进行一退火工艺，将经过离子掺杂的单晶硅层转化为多晶硅层，刻蚀所述多晶硅层和氧化层形成栅极；

步骤S5：在第一器件区和第二器件区分别制备一应力层将所述衬底及栅极的表面予以覆盖；

步骤S6：通过进行一退火工艺后将应力记忆在第一器件区和第二器件区，并去除所述应力层；

步骤S7：制备形成接触孔并进行金属填充。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为SOI晶片。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一器件区为N型MOSFET器件区，所述第二器件区为P型MOSFET器件区。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用电子束光刻工艺制备形成所述纳米线结构。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在进行第一离子注入工艺时，采用砷离子对第一器件区的纳米线进行掺杂，采用氟化硼离子对第二器件区的纳米线进行掺杂。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在温度条件为500～600℃的条件下，采用低压化学气相沉积工艺沉积厚度为40～60nm的单晶硅层。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在进行第二离子注入工艺时，采用砷离子对第一器件区的单晶硅层进行重掺杂，采用硼离子对第二器件区的单晶硅层进行重掺杂；

在进行重掺杂时，砷离子和硼离子的注入剂量相等。

8.如权利要求5或7所述的制备方法，其特征在于，在对其中任意一个器件区进行离子注入工艺时，制备一掩膜层将另一器件区进行覆盖；

在该器件区的离子注入工艺完成后去除另一器件区覆盖的掩膜层。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S5包括以下工艺步骤：

1）采用低压化学气相沉积工艺沉积一张应力层，然后刻蚀去除覆盖在第二器件区的张应力层，保留位于第一器件区的张应力层；

2）采用等离子体增强化学汽相沉积工艺沉积一层压应力层，然后刻蚀去除覆盖在第一器件区的压应力层，保留位于第二器件区的压应力层。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，分别借助两块掩膜板刻刻蚀去除第二器件区的张应力层及第一器件区的压应力层。

11.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述张应力层和压应力层皆为氮化硅层。

12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，采用低压化学气相沉积工艺沉积所述氮化硅层。