[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201310597577.0 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103855124B | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 金钟薰;裴弼淳 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括半导体结构，在其一个表面上形成有用于暴露焊盘的开口；第一导电层，形成在开口中以使半导体结构的一个表面更加均匀；以及导电图案，形成在半导体结构的部分的一个表面上，该一个表面包括第一导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，包括如下步骤：制备在其一个表面上形成有开口的半导体结构，该开口用于暴露焊盘；在该开口中形成第一导电层以使该半导体结构的该一个表面更加均匀；以及在该半导体结构的包括该第一导电层的部分的该一个表面上用滚动印刷工艺形成导电图案,其中所述形成第一导电层的步骤包括如下步骤：在包括所述开口的所述一个表面上方形成导电层以填充所述开口，并且研磨所述导电层使得仅在所述开口中保留所述导电层。
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