[发明专利]一种硅微谐振式压力传感器芯体及制作方法有效
| 申请号： | 201310595320.1 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103557967A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 吴亚林;金建东;王明伟;李玉玲;田雷;吴紫峰;刘智辉;王永刚 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 |
| 主分类号： | G01L1/10 | 分类号： | G01L1/10;G01L9/06 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 张宏威 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种硅微谐振式压力传感器芯体及制作方法，属于传感器领域，本发明为了避免使用硅-硅直接键合、硅片减薄等复杂技术，避免谐振子制作过程中引入较大的残余应力问题。本发明包括下层基片和上层基片，键合为一个整体；下层基片上设置谐振梁、压力敏感膜片、下层激励电极、压敏电阻和下层引线焊盘；谐振梁的上表面设置下层激励电极和压敏电阻，压力敏感膜片设置在谐振腔的底部；上层基片上设置有振动槽和上层激励电极；上层基片的下表面设置有振动槽，在振动槽的槽底表面覆有上层激励电极；上层基片下表面的凹槽与谐振梁所在谐振腔形成密闭空间，下层激励电极与上层激励电极的位置相对设置；下层基片选用SOI硅片；上层基片选用玻璃片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 谐振 压力传感器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅微谐振式压力传感器芯体，采用静电激励/压阻检测为工作方式，其特征在于，它包括下层基片（1）和上层基片（2），下层基片（1）和上层基片（2）键合为一个整体；下层基片（1）上设置有谐振梁（1‑1）、压力敏感膜片（1‑2）、下层激励电极（1‑3）、压敏电阻（1‑4）和下层引线焊盘（1‑5）；谐振梁（1‑1）的上表面设置有下层激励电极（1‑3）和压敏电阻（1‑4），下层激励电极（1‑3）和压敏电阻（1‑4）的引线均通过下层引线焊盘（1‑5）引出；压力敏感膜片（1‑2）设置在谐振梁（1‑1）所在谐振腔的底部；上层基片（2）上设置有振动槽（2‑1）和上层激励电极（2‑2）；上层基片（2）的下表面设置有振动槽（2‑1），在振动槽（2‑1）的槽底表面覆有上层激励电极（2‑2）；下层引线焊盘（1‑5）暴露接触外界；上层基片（2）下表面的凹槽与谐振梁（1‑1）所在谐振腔形成密闭空间，下层激励电极（1‑3）与上层激励电极（2‑2）的位置相对设置；下层基片（1）选用SOI硅片；上层基片（2）选用玻璃片。
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