[发明专利]MEMS器件的接触插塞及其形成方法

摘要

一种MEMS器件的接触插塞及其形成方法，所述方法先通过控制第一干法刻蚀的工艺参数，在硬掩模层及第二介质层内形成，沿着从硬掩模层至半导体材料层的方向口径逐渐减小的第一开口；然后，利用第二干法刻蚀在半导体材料层内形成第二开口；接着，利用第三干法刻蚀在第一介质层内形成第三开口，借助所述第三干法刻蚀的作用能够同时刻蚀第一开口的侧壁，使得第二介质层中第一开口的口径增大以露出下方的半导体材料层；接着，以第二介质层为掩模、利用第四干法刻蚀，至少使部分深度的第二开口口径增大，使得接触孔为上宽下窄的形状。解决了现有MEMS器件的接触插塞的导电性能不佳的问题。

主权项

一种MEMS器件的接触插塞的形成方法，其特征在于，所述MEMS器件包括相对设置的固定电极与可动电极，所述形成方法包括：提供具有检测电路、及与所述检测电路电连接的固定电极的基底；形成覆盖所述固定电极及基底的第一介质层、覆盖所述第一介质层并用于形成所述可动电极的半导体材料层、覆盖所述半导体材料层的第二介质层、及覆盖所述第二介质层的硬掩模层；对所述硬掩模层及第二介质层进行第一干法刻蚀，以在所述硬掩模层及第二介质层内形成露出半导体材料层的第一开口，沿着从所述硬掩模层至半导体材料层的方向，所述第一开口的口径逐渐减小；所述第一干法刻蚀之后，以所述硬掩模层为掩模进行第二干法刻蚀，以在所述半导体材料层内形成露出所述第一介质层的第二开口；所述第二干法刻蚀之后，继续以所述硬掩模层为掩模进行第三干法刻蚀，以在所述第一介质层内形成露出所述固定电极的第三开口，在所述第三干法刻蚀的同时，所述硬掩模层被刻蚀去除，且所述第二介质层中第一开口的侧壁被刻蚀，使得第一开口的底部露出所述半导体材料层；所述第三干法刻蚀之后，以所述第二介质层为掩模对半导体材料层进行第四干法刻蚀，以至少使部分深度的第二开口口径增大，所述第二介质层内的第一开口、所述半导体材料层内的第二开口、以及所述第一介质层内的第三开口构成接触孔。