[发明专利]一种磁控管的磁场强度的调节方法有效
| 申请号： | 201310583353.4 | 申请日： | 2013-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104651786A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 张伟;王厚工;杨玉杰;郑友山 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁控管的磁场强度的调节方法，磁控管包括依次排列的多个磁体组件，磁体组件包括磁体和分别设置在磁体的上端面和下端面上的上盖和下盖，调节方法包括以下步骤：保持每个磁体组件的整体高度不变，改变位于磁控管的待调节区域内的各个磁体组件的磁体、上盖和下盖的高度，或者三者中的任意两者的高度在该磁体组件的整体高度中所占的比例，以增强或减弱磁控管在该待调节区域内产生的磁场强度。上述调节方法可以使靶材上表面的各区域具有均匀的磁场强度，进而在磁控溅射沉积工艺过程中，使粒子均匀地轰击靶材，这样使靶材在工艺过程中被均匀的腐蚀，从而提高靶材的利用率，并使沉积至被加工工件上的薄膜具有较好的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控管 磁场强度 调节 方法 | ||
【主权项】：
一种磁控管的磁场强度的调节方法，所述磁控管包括依次排列的多个磁体组件，所述磁体组件包括磁体和分别设置在所述磁体的上端面和下端面上的上盖和下盖，其特征在于，所述调节方法包括以下步骤：保持每个磁体组件的整体高度不变，改变位于所述磁控管的待调节区域内的各个磁体组件的磁体、上盖和下盖的高度，或者三者中的任意两者的高度在该磁体组件的整体高度中所占的比例，以增强或减弱所述磁控管在该待调节区域内产生的磁场强度。
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