[发明专利]半导体片芯单颗化方法和装置

摘要

本公开涉及半导体片芯单颗化方法和装置。在一个实施例中，通过如下来将片芯从具有背层的晶片单颗化：将所述晶片放置到第一载体基板上，背层与载体基板相邻近；形成通过晶片的单颗化线以露出单颗化线内的背层；以及，利用机械装置施加局部化的压力到晶片以在单颗化线中分开所述背层。可以临近所述背层地通过第一载体基板施加局部化的压力，或者，可以通过附接到晶片的与所述背层相反的正面的第二载体基板施加所述局部化的压力。

主权项

1.一种单颗化晶片的方法，包括：提供具有多个片芯的晶片，所述多个片芯形成在所述晶片上并且彼此以间隔分开，其中所述晶片具有相反的第一主表面和第二主表面，并且其中沿着所述第二主表面形成材料层；将所述晶片放置到第一载体基板上，其中所述材料层与所述第一载体基板相邻近；通过所述间隔对所述晶片进行单颗化，以形成单颗化线，其中单颗化包括停止在所述材料层附近；以及通过使机械装置沿所述第一主表面或所述第二主表面中的至少一个经过，来施加局部化的压力到所述晶片上，以在所述单颗化线中分开所述材料层，其中所述材料层包括金属层或晶片背面涂层膜。