[发明专利]半导体发光元件和发光装置有效
申请号: | 201310507863.3 | 申请日: | 2013-10-24 |
公开(公告)号: | CN103779472A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 王宏琳;篠原裕直;横山英祐 | 申请(专利权)人: | 丰田合成株式会社 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/44;H01L33/46 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;杨光军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的课题在于使来自面朝上装配中使用的半导体发光元件的光的输出增加。半导体发光元件(1)具备:n型半导体层(120)、发光层(130)和p型半导体层(140)、与p型半导体层(140)连接的p侧电极部(150)、与n型半导体层(120)连接的n侧电极部(160)。n侧电极部(160)具有n侧供电电极(162)、n侧辅助电极(163)和n侧连接电极(164),n侧供电电极(162)和n侧辅助电极(163)从发光层(130)看设置在p型半导体层(140)的内侧。在p型半导体层(140)之上,设置有对于从发光层(130)输出的波长的光透明的供电绝缘层(170),例如成为n侧供电电极(162)和n侧辅助电极(163)的下方的部位,被设定为容易反射来自发光层(130)的光的厚度,其他的部位被设定为容易透射来自发光层(130)的光的厚度。 | ||
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【主权项】:
一种半导体发光元件,其特征在于,具备:第1半导体层,其由具有第1导电类型的化合物半导体构成;发光层,其在所述第1半导体层上与该第1半导体层接触地设置,由化合物半导体构成并且通过通电而发光;第2半导体层,其在所述发光层上与该发光层接触地设置,由具有与所述第1导电类型不同的第2导电类型的化合物半导体构成;第1供电电极,其从所述发光层看设置在所述第2半导体层的背面侧,由金属构成并且与所述第1半导体层电连接;第2供电电极,其从所述发光层看设置在所述第2半导体层的背面侧,由金属构成并且与该第2半导体层电连接;和透明绝缘层,其从所述发光层看设置在所述第2半导体层的背面侧,由具有对于从所述发光层输出的波长的光的透射性的材料构成,并将所述第1供电电极和所述第2供电电极电绝缘,所述透明绝缘层,具有:第1透明绝缘部,其被设定为从所述发光层输出的光容易透射的第1厚度,从所述发光层看配置在所述第2半导体层的背面侧、且所述第1供电电极和所述第2供电电极不存在的部位;和第2透明绝缘部,其被设定为从所述发光层输出的光容易反射的第2厚度,配置在所述第2半导体层和所述第1供电电极之间以及该第2半导体层和所述第2供电电极之间。
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