[发明专利]工作周期补偿器与时钟补偿方法有效

专利信息
申请号: 201310472880.8 申请日: 2013-10-11
公开(公告)号: CN104050993B 公开(公告)日: 2016-11-16
发明(设计)人: 马炎涛 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: G11C7/04 分类号: G11C7/04
代理公司: 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 代理人: 王正茂;丛芳
地址: 中国台湾桃园县龟山*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的一个方面是提供了一种时钟补偿方法,用来补偿系统时钟信号的系统工作周期。在一实施例中,该时钟补偿方法包含下列步骤:通过延迟锁定回路锁定系统工作周期的工作周期中央点;检测系统时钟信号的当前系统工作周期;计算工作周期校正量,其中工作周期校正量为当前系统工作周期与目标工作周期之间的间距;以及根据工作周期校正量超出临界量与否改变输入参考时钟信号的极性。本发明还公开了一种工作周期补偿器。
搜索关键词: 工作 周期 补偿 时钟 方法
【主权项】:
一种工作周期补偿器,其特征在于,包含:一输入缓冲器,其用来产生一输入参考时钟信号;一输出缓冲器,其用来产生一系统时钟信号;一延迟锁定回路,其电性连接在上述输入缓冲器与上述输出缓冲器之间,该延迟锁定回路用来锁定上述系统时钟信号的系统工作周期的一工作周期中央点;以及一工作周期控制模块,其包含:一工作周期检测单元,其用来检测上述系统时钟信号的一当前系统工作周期;以及一工作周期补偿单元,其用来根据上述当前系统工作周期与一目标工作周期之间的间距计算一工作周期校正量,且该工作周期补偿单元根据该工作周期校正量超出一临界量与否产生一补偿信号;以及一双模极性控制单元,其用来根据上述补偿信号改变上述输入缓冲器的上述输入参考时钟信号的极性;其中在所述工作周期校正量保持在所述临界量以内时,所述双模极性控制单元切换所述输入参考时钟信号的极性,且所述临界量不为0。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司,未经南亚科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310472880.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 存储器装置及其操作方法-201711305492.5
  • 李明修;林昱佑;李峰旻 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2017-12-11 - 2019-06-18 - G11C7/04
  • 本发明公开了一种存储器装置及其操作方法,存储器装置包括:一控制器;一存储器阵列,耦接于该控制器;一再编程需求缓存器,耦接于该控制器;以及一再编程电路,耦接于该控制器与该存储器阵列。根据该再编程需求缓存器的一值,该控制器决定是否命令该再编程电路对该存储器阵列进行再编程操作。
  • 存储器装置的温度更新-201780062577.7
  • R·E·法肯索尔 - 美光科技公司
  • 2017-08-25 - 2019-06-04 - G11C7/04
  • 本发明描述用于操作一或若干铁电存储器单元的方法、系统及装置,且更明确地说,本发明描述存储器装置的温度更新。可根据定时循环而操作存储器阵列,所述定时循环包含用于执行第一类型的操作的第一间隔及用于执行第二类型的操作的第二间隔,其中所述第一间隔的持续时间大于所述第二类型的间隔的持续时间。可在所述第二类型的间隔期间对与所述存储器阵列的至少一部分的温度相关的温度进行取样,且可至少部分地基于所取样温度而重新配置所述存储器阵列。接着可在所述第一类型的间隔期间对经重新配置存储器阵列执行所述第一类型的操作。
  • 非易失性存储器时钟频率的调节方法及非易失性存储器-201610565525.9
  • 薛子恒;潘荣华 - 北京兆易创新科技股份有限公司
  • 2016-07-18 - 2019-05-28 - G11C7/04
  • 本发明公开了非易失性存储器时钟频率的调节方法及非易失性存储器。该调节方法由本发明实施例提供的非易失性存储器执行,包括:控制器接收由温度监测器传输的当前温度信息;控制器基于所述当前温度信息确定振荡器对应的预设周期时长;控制器基于所述预设周期时长调控所述振荡器产生时钟信号的时钟频率的目的。利用该调节方法,能够实现非易失性存储器的时钟频率随当前环境温度的变化而自动调节,由此保证非易失性存储器在不同环境温度下都能正常工作,从而具有良好的工作效率,进而增强了非易失性存储器在工作中的可靠性和稳定性。
  • 用于功率门控域的温度及工艺角的感测控制的系统、方法及设备-201780053024.5
  • S·J·洛维特 - 美光科技公司
  • 2017-08-16 - 2019-04-16 - G11C7/04
  • 本发明描述用于功率门控域的温度及工艺角的感测控制的设备及方法。实例设备包含内部电路;电力供应线;及功率门控控制电路,其至少部分响应于从控制信号的第一状态到第二状态的第一改变,启动从所述电力供应线向所述内部电路供应电力供应电压,并且在从所述控制信号的所述第二状态到所述第一状态的第二改变的至少一超时周期内,继续从所述电力供应线向内部电路供应电力供应电压,其中所述超时周期代表温度相依性。
  • 通过擦除状态修改的存储器单元保持增强-201580012463.2
  • J·沃尔斯;S·穆拉利 - 密克罗奇普技术公司
  • 2015-04-29 - 2019-04-05 - G11C7/04
  • 本发明提供一种控制电阻性存储器单元的方法。针对所述存储器单元界定电阻阈值,其中如果所述单元的经检测电阻是在所述电阻阈值之上,那么电路将所述单元识别为经擦除,且如果所述经检测电阻在所述电阻阈值之下,那么将所述单元识别为经编程。通过施加电荷来跨所述单元的电解质切换区域形成细丝,其中具有所述经形成细丝的所述单元具有第一电阻。接着将所述单元擦除到具有大于所述第一电阻的第二电阻的经擦除状态。接着将所述单元编程到准经擦除状态,所述准经擦除状态具有在所述第一电阻与所述第二电阻之间且在所述电阻阈值之上的第三电阻,使得所述单元由所述电路识别为经擦除。接着,可将所述单元维持于所述准经擦除状态中。
  • 热量疏导期间对数据块进行路由-201810648621.9
  • N·N·杨;V·卡米拉 - 西部数据技术公司
  • 2018-06-22 - 2019-02-26 - G11C7/04
  • 本申请涉及热量疏导期间对数据块进行路由并公开了一种SSD,该SSD的实施例包括耦接到一个或多个闪存管芯的控制器,接近一个或多个闪存管芯的一个或多个温度传感器,以及数据存储指令。一个或多个闪存管芯包括多个TLC(三层单元)块。控制器当执行数据存储指令时使得控制器从一个或多个温度传感器周期性地提取温度读数,并且当温度读数在起始疏导阈值之上时限制对一个或多个闪存管芯的操作。在某些实施例中,当温度读数在起始疏导阈值之上时,TLC块以SLC模式进行写入。在其它实施例中,在疏导期间一个或多个备用SLC块用非系统数据写入。
  • 基于温度的闪速存储器系统维持-201480063785.5
  • G.雷迪;N.N.杨;A.鲍切 - 桑迪士克科技有限责任公司
  • 2014-10-14 - 2019-02-01 - G11C7/04
  • 存储器系统或闪速卡可以包括改善存储器的耐受性的存储器维持调度。某些参数——诸如温度——被测量并且被用于调度维持。例如,可以取决于卡的周围温度进行或推迟存储器维持。存储器维持操作可以被排名或者分类(例如基于优先级在存储器维持队列中)以与参数的阈值的值对应以用于存储器维持的更加有效的调度。例如,在低温度阈值处,仅进行高优先级维持操作,而在更高的温度阈值处,进行任何优先级维持操作。
  • 温度传感器电路及其操作方法-201580003578.5
  • 松本雅秀;山下竜二 - 桑迪士克科技有限责任公司
  • 2015-02-03 - 2018-11-06 - G11C7/04
  • 温度传感器电路,具有可在两个温度处调整的参考电压生成器以用于增加的准确性。参考电压产生区产生参考电压,该参考电压的电平是可调整的。分压器区被连接以从所述参考电压产生区接收所述参考电压并且产生由参考电压和可调整的电阻确定的多个比较电压电平。模拟到数字转换器可以然后被连接到依赖温度的电压区以接收依赖温度的输出电压——诸如绝对温度型的(PTAT)表现成正比,并且连接到所述分压器区以接收所述比较电压电平。所述模拟到数字转换器基于所述依赖温度的输出电压与所述比较电压电平的比较产生表示温度的输出。
  • 一种改善存储器时钟电路负偏压温度不稳定性的恢复电路-201610154900.0
  • 刘海齐 - 苏州仙林力齐电子科技有限公司
  • 2016-03-18 - 2018-10-16 - G11C7/04
  • 本发明是一种改善存储器时钟电路负偏压温度不稳定性的恢复电路,该电路包括使能信号端CEN,时钟信号端CLK,反相器I1、I2、I3、I4、I5、I7,或非门I6,PMOS管MP1,NMOS管MN1和MN2,该电路还包括一NBTI效应的恢复电路;所述NBTI效应的恢复电路包括PMOS管MP2、反相器I8和传输门I9,所述MP2的源极连接高电平端VDD,MP2的漏极连接MP1管的栅极,MP2的栅极分别连接反相器I8的输出端和传输门I9中的NMOS栅端,反相器I8的输入端分别连接使能信号端CEN和传输门I9中的PMOS栅端,传输门I9的一端连接MP1的栅极,另一端连接虚拟位线DBL。本发明电路能降低NBTI效应对该电路中PMOS管性能的影响,保证电路的最高工作频率以及低功耗性能。
  • 具有温度控制的存储系统及其操作方法-201810123803.4
  • 平展 - 三星电子株式会社
  • 2018-02-07 - 2018-09-25 - G11C7/04
  • 一种具有温度控制的存储系统及其操作方法。所述系统包括:多个存储装置,例如固态驱动器;系统控制器,例如基板管理控制器;以及一个或多个冷却风扇。每一个存储装置包括控制器,所述控制器被配置成估测由在存储装置中执行的操作引起的所述存储装置中的热负载及/或有效温度。系统控制器基于所述存储装置的所估测热负载、所估测温度、及/或所感测内部温度采用自抗扰控制来调整风扇速度。
  • 基于温度的自适应擦除或编程并行性-201410060883.5
  • R·K·埃谷奇;J·S·朝伊;何晨;K·K·泰勒 - 恩智浦美国有限公司
  • 2014-02-24 - 2018-08-24 - G11C7/04
  • 本发明涉及基于温度的自适应擦除或编程并行性。一种方法,在一个实施方案中包括通过使用电荷泵(220)的电压执行存储操作以将存储阵列(201)的存储单元置于第一逻辑状态(514,714)。一部分所述操作是通过使用所述电荷泵的所述电压在所述存储单元上执行的。所述存储阵列的温度和阈值(503,703)进行比较。如果所述温度高于参考水平,所述电荷泵上的负载通过仅仅给减小数量的存储单元提供所述电压而被减小。
  • 应用于半导体存储器的ZQ校准控制-201710720585.8
  • 不公告发明人 - 睿力集成电路有限公司
  • 2017-08-21 - 2018-06-08 - G11C7/04
  • 本发明提供了一种半导体存储器的ZQ校准控制器,包括:温度传感器,用于检测半导体存储器的温度;温度控制单元,用于从温度传感器处获取并存储半导体存储器的第一温度值和第二温度值,计算第一温度值和第二温度值的偏差,在偏差超过阈值时发送启动ZQ校准的信号;ZQ校准单元,用于在收到启动ZQ校准的信号时,对半导体存储器进行ZQ校准,并在ZQ校准结束时发送ZQ校准结束的信号给温度控制单元。本发明通过增加温度控制单元可实现半导体存储器根据自身温度变化自动启动ZQ校准,从而改善输出端阻值,以维持信号的完整性,也减轻控制器的编程负担,节省成本,节省功耗;对输出端口的输出阻值的控制更加灵活有效。
  • 一种存储单元的读取方法及装置-201611051314.X
  • 张建军;胡洪 - 北京兆易创新科技股份有限公司
  • 2016-11-24 - 2018-06-01 - G11C7/04
  • 本发明公开了一种存储单元的读取方法及装置,所述方法包括:接收读取指令;根据存储器芯片的当前温度以及存储单元的电流温度特性确定当前读取电压;向所述存储器芯片的存储单元施加所述当前读取电压。本发明实施例提供的一种存储单元的读取方法,通过根据存储器芯片的当前温度以及存储单元的电流温度特性确定当前读取电压,并向所述存储器芯片的存储单元施加所述当前读取电压,实现了通过改变读取电压来减小存储器单元的电流变化量,进而改善存储单元的读取性能。
  • 一种存储单元的编程方法及装置-201611051344.0
  • 胡洪;张建军;张赛 - 北京兆易创新科技股份有限公司
  • 2016-11-24 - 2018-06-01 - G11C7/04
  • 本发明公开了一种存储单元的编程方法及装置,所述方法包括接收编程指令;根据存储器芯片的当前温度确定当前编程电压;向所述存储器芯片的存储单元施加所述当前编程电压。本发明实施例提供的一种存储单元的编程方法,通过接收编程指令后,根据存储器芯片的当前温度确定当前编程电压;并向所述存储器芯片的存储单元施加所述当前编程电压的技术手段,改善了高温下编程速度变慢的问题,同时改善了低温下编程速度过快导致的编程过强的问题,提高了编程性能。
  • 包括存储器件和存储器控制器的存储系统-201710963313.0
  • 赵龙德 - 爱思开海力士有限公司
  • 2017-10-17 - 2018-05-01 - G11C7/04
  • 一种存储系统包括存储器件,被配置成用响应于写入命令和预充电命令而调节的第一时间间隔来储存输入数据;以及控制器,被配置成产生写入命令和预充电命令,以及被配置成控制存储器件,其中,控制器根据存储器件的温度来设置第一时间间隔的变化速率,以及基于设置的变化速率和存储器件的温度来调节写入命令与预充电命令之间的时间间隔。
  • 延时调制电路和包含延时调制电路的半导体存储器-201721400784.2
  • 不公告发明人 - 睿力集成电路有限公司
  • 2017-10-27 - 2018-05-01 - G11C7/04
  • 本实用新型涉及延时调制电路和包含延时调制电路的半导体存储器。延时调制电路包括信号输入控制模块,具有第一输入导入端、第二输入导入端和输入导出端;延时模块,具有第一延时输入端、第二延时输入端、第一延时输出端以及第二延时输出端,输入导出端与第一延时输入端连接,第二延时输入端与第一延时输出端连接;计数模块,具有第一计数输入端、第二计数输入端和计数输出端,第一计数输入端与第二延时输出端连接,第二计数输入端与输入导出端连接,计数输出端与第二输入导入端连接;延时模块被施加稳压调制电压。本实用新型能够实现当芯片的工作参数改变时延时基本不变,从而使半导体存储器的芯片的性能更佳。
  • 用于热电存储器温度控制的系统和方法-201680045504.2
  • D·T·全 - 高通股份有限公司
  • 2016-07-11 - 2018-04-17 - G11C7/04
  • 公开了体现在存储器管理模块中的或作为存储器管理模块的系统、方法和计算机程序,其用于对存储器进行热控制以改善其性能。一个示例性实施例包括存储器、一个或多个处理器和热电冷却设备。一个或多个处理器经由电耦合到存储器的存储器控制器来访问存储器。热电冷却设备被配置为响应于存储器的预测的温度变化来对存储器进行热控制。
  • 应用于半导体存储器的ZQ校准控制-201721049912.3
  • 不公告发明人 - 睿力集成电路有限公司
  • 2017-08-21 - 2018-02-27 - G11C7/04
  • 本实用新型提供了一种半导体存储器的ZQ校准控制器,包括温度传感器,用于检测半导体存储器的温度;温度控制单元,用于从温度传感器处获取并存储半导体存储器的第一温度值和第二温度值,计算第一温度值和第二温度值的偏差,在偏差超过阈值时发送启动ZQ校准的信号;ZQ校准单元,用于在收到启动ZQ校准的信号时,对半导体存储器进行ZQ校准,并在ZQ校准结束时发送ZQ校准结束的信号给温度控制单元。本实用新型通过增加温度控制单元可实现半导体存储器根据自身温度变化自动启动ZQ校准,从而改善输出端阻值,以维持信号的完整性,也减轻控制器的编程负担,节省成本,节省功耗;对输出端口的输出阻值的控制更加灵活有效。
  • 工作周期补偿器与时钟补偿方法-201310472880.8
  • 马炎涛 - 南亚科技股份有限公司
  • 2013-10-11 - 2016-11-16 - G11C7/04
  • 本发明的一个方面是提供了一种时钟补偿方法,用来补偿系统时钟信号的系统工作周期。在一实施例中,该时钟补偿方法包含下列步骤:通过延迟锁定回路锁定系统工作周期的工作周期中央点;检测系统时钟信号的当前系统工作周期;计算工作周期校正量,其中工作周期校正量为当前系统工作周期与目标工作周期之间的间距;以及根据工作周期校正量超出临界量与否改变输入参考时钟信号的极性。本发明还公开了一种工作周期补偿器。
  • 使用热数据对3D栈式存储器的动态操作-201180074494.2
  • R·萨拉斯沃特;M·格里斯 - 英特尔公司
  • 2011-09-30 - 2016-11-09 - G11C7/04
  • 使用热数据对3D栈式存储器的操作的动态操作。存储器设备的实施例包括具有多个耦合的存储器元件和多个热传感器的存储器,包括位于存储器堆栈的第一区域的第一热传感器和位于存储器堆栈的第二区域的第二热传感器。存储器控制器将提供至少部分地基于由热传感器所生成的热信息来修改存储器元件的热状况的操作。
  • 用于改善存储器控制电路负偏压温度不稳定性的恢复电路-201610090637.3
  • 张建杰 - 苏州无离信息技术有限公司
  • 2016-02-18 - 2016-07-13 - G11C7/04
  • 本发明公开了一种用于改善存储器控制电路负偏压温度不稳定性的恢复电路,具体为在其传统的时钟控制电路中增设一个电源转换电路,该电源转换电路连接在时钟控制电路的复制单元和传输链之间,该电源转换电路由第二PMOS管和NMOS管组成;第二PMOS管的源极连电源,NMOS管的源极接地;第二PMOS管的栅极和NMOS管的栅极构成电源转换电路的转换控制信号输入端;第二PMOS管的漏极和NMOS管的漏极构成电源转换电路的输出端,并别与复制单元和传输链的虚拟电源连接。本发明降低了NBTI效应对嵌入式存储器控制电路中关键PMOS管的影响,使得嵌入式存储器控制电路能够长时间稳定工作,并能够提高芯片的可靠性指标。
  • 数据生成系统和照明器件-201380019651.9
  • H.J.G.拉德马彻尔 - 皇家飞利浦有限公司
  • 2013-04-11 - 2014-12-10 - G11C7/04
  • 本发明涉及一种包括存储器器件(302)的数据生成系统,所述存储器器件包括存储器元件(306,308)以及被设置成访问存储器元件中的内容并且提供相应的输出数据的元件内容访问单元(310),其中可以通过直接作用在存储器器件上的外部物理效应改变源自所述存储器元件(306)中的至少一个的输出数据。
  • 半导体存储装置的温度检测电路-201410079844.X
  • 金帝润;李锺天 - 爱思开海力士有限公司
  • 2009-12-18 - 2014-07-30 - G11C7/04
  • 半导体存储装置的温度检测电路包括固定周期振荡器、温度可变信号发生单元和计数单元。振荡器被配置成当使能信号被使能时,生成固定周期振荡信号。温度可变信号发生单元被配置成当使能信号被使能时,生成其使能间隔基于温度变化而改变的温度可变信号。计数单元被配置成在温度可变信号的使能间隔期间,对振荡信号计数以生成温度信息信号。
  • 改善SRAM单元可写性-201280048744.X
  • 马尼什·加尔吉;迈克尔·泰坦·潘 - 高通股份有限公司
  • 2012-09-12 - 2014-06-04 - G11C7/04
  • 用于检测和改善静态随机存取存储器SRAM单元的可写性的系统和方法。产生(110)对应于操作条件的偏置电压值(114),所述操作条件例如为指示包括所述SRAM单元的外部SRAM阵列的单元写入失败条件的工艺、电压或温度操作条件。将此偏置电压值施加到模型SRAM阵列(130)中的SRAM单元的字线。检测用于以纹波方式通过所述模型SRAM阵列的触发信号(124)的第一延迟(164)且将其与参考延迟(122)进行比较。在所述第一延迟大于或等于所述参考延迟的情况下产生写入辅助指示(162)。基于所述写入辅助指示,将写入辅助提供到所述SRAM单元。
  • 用于补偿半导体存储装置的温度测量范围的电路-201010100864.2
  • 金帝润 - 海力士半导体有限公司
  • 2010-01-26 - 2011-03-23 - G11C7/04
  • 本发明公开了一种用于补偿半导体存储装置的温度测量范围的电路。该电路包括振荡器、温度可变脉冲发生单元、计数器和输出控制单元。计数使能信号发生单元输入温度脉冲,并响应于接收控制信号,输出与该温度脉冲相应的计数使能信号。计数器响应于接收计数使能信号,输入振荡信号并对振荡信号进行计数,并输出计数信号。输出控制单元输出与计数信号成比例的温度信息码信号,或输出处于与计数信号的最大值相应的固定电平的温度信息码信号。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top