专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]雷达系统中的同相(I)和正交(Q)不平衡估计-CN201711245355.7有效
  • S·巴拉德瓦杰;K·苏布拉吉;S·穆拉利 - 德克萨斯仪器股份有限公司
  • 2017-12-01 - 2023-08-08 - G01S13/02
  • 本发明涉及雷达系统中的同相(I)和正交(Q)不平衡估计。本申请公开了一种雷达系统,其包括:传输信号产生电路(230);发射信道(301),其耦合到传输信号产生电路(230)以接收连续波测试信号,发射信道(301)可配置成基于连续波信号输出测试信号,其中测试信号的相位角在相位角范围内以离散步长改变;接收信道(202),其通过反馈环路(322)耦合到发射信道(301)以接收测试信号,接收信道(202)包括同相(I)信道和正交(Q)信道;统计收集模块(320),其被配置成收集在每个相位角处由I信道输出的测试信号以及由Q信道输出的测试信号的能量测量值;以及处理器(228),其被配置成基于所收集的能量测量值来估计I信道和Q信道的相位和增益不平衡。
  • 雷达系统中的正交不平衡估计
  • [发明专利]雷达系统中的减噪-CN201680033886.7有效
  • K·苏布拉吉;K·拉玛苏布拉马尼安;S·穆拉利;S·萨玛拉;K·丹杜 - 德克萨斯仪器股份有限公司
  • 2016-04-13 - 2022-05-03 - G01S7/536
  • 在描述的示例中,一种减噪的连续波调频雷达(200),其包括用于生成雷达信号的发射器(202)、用于接收反射的雷达信号(232)并且包括用于响应于接收的雷达信号(232)以及响应于本地振荡器(LO)(210)信号生成基带信号的混频器(262、263)的接收器(204)以及耦合到发射器(202)、接收器(204)中的混频器(262、263)的LO输入和由混频器(262、263)生成的基带信号中的至少一个的信号移位器(212、299、284、288)。响应于干扰频率和相位偏移,通过配置信号移位器(212、299、284、288)减小与干扰(如来自附近物体的强反射和从发射天线(230)到接收天线(240)的电磁耦合)相关联的振幅噪声或相位噪声对检测其他周围物体的影响。
  • 雷达系统中的
  • [发明专利]雷达系统-CN202080024472.4在审
  • K·苏布拉吉;S·拉奥;S·穆拉利;K·拉玛苏布拉马尼安 - 德克萨斯仪器股份有限公司
  • 2020-03-25 - 2021-11-09 - G01S13/34
  • 本公开的各方面提供了一种雷达系统,该雷达系统包括雷达IC(300),该雷达IC(300)包括定时引擎(342)、本地振荡器(330)和调制器(350)。定时引擎被配置为生成一个或多个线性调频脉冲控制信号。本地振荡器被配置为接收一个或多个线性调频脉冲控制信号并根据一个或多个线性调频脉冲控制信号生成包括第一线性调频脉冲序列的帧。调制器被配置为调制第一线性调频脉冲序列以生成第二线性调频脉冲序列,使得帧包括第一线性调频脉冲序列和偏移第一频率值的第二线性调频脉冲序列。
  • 雷达系统
  • [发明专利]通过擦除状态修改的存储器单元保持增强-CN201580012463.2有效
  • J·沃尔斯;S·穆拉利 - 密克罗奇普技术公司
  • 2015-04-29 - 2019-04-05 - G11C7/04
  • 本发明提供一种控制电阻性存储器单元的方法。针对所述存储器单元界定电阻阈值,其中如果所述单元的经检测电阻是在所述电阻阈值之上,那么电路将所述单元识别为经擦除,且如果所述经检测电阻在所述电阻阈值之下,那么将所述单元识别为经编程。通过施加电荷来跨所述单元的电解质切换区域形成细丝,其中具有所述经形成细丝的所述单元具有第一电阻。接着将所述单元擦除到具有大于所述第一电阻的第二电阻的经擦除状态。接着将所述单元编程到准经擦除状态,所述准经擦除状态具有在所述第一电阻与所述第二电阻之间且在所述电阻阈值之上的第三电阻,使得所述单元由所述电路识别为经擦除。接着,可将所述单元维持于所述准经擦除状态中。
  • 通过擦除状态修改存储器单元保持增强

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