[发明专利]一种闪存存储器的制作方法

摘要

本发明提供一种闪存存储器的制作方法，在对第一多晶硅层进行N型掺杂的时候，把本来要进行P型掺杂的选择栅极区域先进行与浮置栅极区域相同的N型掺杂，故此时实施N型掺杂的区域应包括整个第一多晶硅层，同时，在后续工艺中对选择栅极区域进行高浓度的P型掺杂，P型掺杂的剂量大于之前对该区域进行的N型掺杂的剂量，以确保最大限度的抵消了选择栅极区域预先进行的N型掺杂，使选择栅极区域的多晶硅变成P型多晶硅，这就避免了现有工艺中由于选择栅极P型掺杂不够导致其在使用过程中出现多晶硅耗尽层现象的发生，大大改善了选择栅极工作的稳定性，能很好的解决闪存存储器在抹除时因过度抹除现象太严重，而导致数据的误判的问题。

主权项

一种闪存存储器的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1)提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成隧穿氧化层；2)在所述隧穿氧化层上形成第一多晶硅层，对所述第一多晶硅层进行N型掺杂；3)在进行N型掺杂后的第一多晶硅层上形成栅间介电层；4)在预设的选择栅极对应的位置蚀刻所述栅间介电层直至所述第一多晶硅层中，形成开口；并在所述开口中及其余栅间介电层上形成第二多晶硅层；5)在所述第二多晶硅层上堆栈栅极结构对应的位置设置掩膜，然后对所述第二多晶硅层上预设的选择栅极对应的位置进行P型掺杂；6)形成由控制栅极、栅间介电层、浮置栅极和隧穿氧化层构成的堆栈栅极结构和选择栅极，并分别在堆栈栅极结构和选择栅极两侧形成侧墙；7)以堆栈栅极结构、选择栅极和侧墙为掩膜，在所述半导体衬底中进行离子注入，形成源/漏极。