[发明专利]一种横向集成SOI半导体功率器件

摘要

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种具有n+埋层的横向集成的准超结SOI半导体功率器件。本发明的其元胞结构包括依次层叠设置的衬底、埋氧层和SOI层，还包括高压pLDMOS、高压nLDMOS和低压CMOS；所述高压pLDMOS、高压nLDMOS和低压CMOS设置在SOI层上，高压nLDMOS设置在高压pLDMOS和低压CMOS之间；其特征在于，所述高压pLDMOS、高压nLDMOS和低压CMOS之间通过浅槽介质隔离区和层间介质相互隔离，所述层间介质与埋氧层的上表面连接，浅槽介质隔离区设置在层间介质上表面。本发明的有益效果为，可以实现100V～700V各种性能优良的高压器件，具有高速、高集成度、低导通损耗的优点。本发明尤其适用于横向集成SOI半导体功率器件。

主权项

一种横向集成SOI半导体功率器件，其元胞结构包括依次层叠设置的衬底（1）、埋氧层（2）和SOI层（3），还包括高压pLDMOS（61）、高压nLDMOS（62）和低压CMOS（63）；所述高压pLDMOS（61）、高压nLDMOS（62）和低压CMOS（63）设置在SOI层（3）上，高压nLDMOS（62）设置在高压pLDMOS（61）和低压CMOS（63）之间；其特征在于，所述高压pLDMOS（61）、高压nLDMOS（62）和低压CMOS（63）之间通过浅槽介质隔离区(4）和层间介质（41)相互隔离，所述浅槽介质隔离区4与埋氧层2的上表面连接，层间介质41设置在浅槽介质隔离区4上表面。