[发明专利]用于形成含有非晶碳膜的构造的分批处理方法有效
| 申请号： | 201310406951.4 | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103474344A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 冈田充弘;东条行雄 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;C23C16/44;C23C16/26 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于形成含有非晶碳膜的构造的分批处理方法，包括下述工序，即、一边对反应室内进行排气一边进行预备，该预备处理是指将上述反应室内的温度加热到800℃～950℃的预备处理温度，并且向上述反应室内供给从由氮气和氨气组成的气体组中选出的预备处理气体，从而去除基底层表面的水；然后，一边对上述反应室内进行排气一边进行主CVD处理，该主CVD处理是指将上述反应室内的温度加热到主处理温度，并且向上述反应室内供给碳化氢气体，从而在基底层上成膜非晶碳膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 含有 非晶碳膜 构造 分批 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成含有非晶碳膜的构造的分批处理方法，其中，该方法包括下述工序：在反应室内以沿铅直方向隔开间隔地层叠的状态收容多张被处理体，各上述被处理体具有用于在表面形成上述含有非晶碳膜的构造的基底层；一边对上述反应室内进行排气一边进行预备处理，该预备处理是指将上述反应室内的温度加热到预备处理温度，并且向上述反应室内供给预备处理气体，从而成膜用于覆盖上述基底层的疏水性层；一边对上述反应室内进行排气一边进行主CVD处理，该主CVD处理是指将上述反应室内的温度加热到主处理温度，并且向上述反应室内供给碳化氢气体，从而在上述疏水性层上成膜非晶碳膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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