[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法。本实施方式的非易失性半导体存储装置具有：半导体基板；形成于所述半导体基板上的第1绝缘膜；形成于所述第1绝缘膜上的第1电极膜；形成于所述第1电极膜上的第2绝缘膜；形成于所述第2绝缘膜上的第2电极膜；第3电极膜，其将第1宽度尺寸且第1深度尺寸的第1凹部的内部填埋并且形成于所述第2电极膜上，所述第1凹部形成为贯穿所述第2电极膜和所述第2绝缘膜而到达所述第1电极膜内；和形成于所述第3电极膜上的阻挡金属膜和金属膜，所述第3电极膜形成为所述第2电极膜上的部分的膜厚为小于等于所述第1凹部的第1宽度尺寸的1/2的第1膜厚。

主权项

一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具有：半导体基板；第1绝缘膜，其形成于所述半导体基板上；第1电极膜，其形成于所述第1绝缘膜上；第2绝缘膜，其形成于所述第1电极膜上；第2电极膜，其形成于所述第2绝缘膜上；第3电极膜，其将第1宽度尺寸且第1深度尺寸的第1凹部的内部填埋并且形成于所述第2电极膜上，所述第1凹部形成为贯穿所述第2电极膜和所述第2绝缘膜而到达所述第1电极膜内；和第1阻挡金属膜及第1金属膜，其形成于所述第3电极膜上，所述第3电极膜形成为所述第2电极膜上的部分的膜厚为第1膜厚，所述第1膜厚小于等于所述第1凹部的第1宽度尺寸的1/2。