[发明专利]一种SRAM存储器以及位单元追踪方法无效
| 申请号： | 201310393043.6 | 申请日： | 2013-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN103440880A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 李力南;翁宇飞 | 申请（专利权）人： | 苏州宽温电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SRAM存储器以及位单元追踪方法，所述SRAM存储器的存储电路包括SRAM阵列，包括成行和成列设置的SRAM位单元；两个跟踪行，分别置于两部分SRAM阵列上部；两个跟踪列，分别置于SRAM阵列的两侧；两个dummy cell，用来启动跟踪位线信号；两个dummy SA读出放大器；跟踪位线，穿过跟踪列，与dummy SA连接；跟踪字线，穿过跟踪行，与dummy cell连接。本发明采用两条追踪路径，比较两个追踪路径的延迟时间，取其较大的来控制普通存储单元对应的读出放大器打开。因此，本发明的主要优点是能同时跟踪左右BL，wL，cell的情况，减少工艺波动、电压、温度对SRAM读操作的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 存储器 以及 单元 追踪 方法 | ||
【主权项】：
一种SRAM存储器，其特征在于，所述SRAM存储器的存储电路包括关于INTERNAL‑CLK对称分布的若干个SRAM阵列。
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