[发明专利]图像传感器及其制作方法

摘要

一种图像传感器及其制作方法，所述图像传感器包括光电二极管；第一导电类型隔离层；第二导电类型浅掺杂区域，形成于所述第一导电类型半导体衬底的内部；第一导电类型浅掺杂区域，形成于所述第二导电类型浅掺杂区域下部；所述第二导电类型浅掺杂区域通过所述第一导电类型浅掺杂区域隔离于所述光电二极管的第二导电类型区域；传输管的栅极结构；浮置扩散区，其具有第二导电类型重掺杂。所述图像传感器通过形成与浮置扩散区接触的第二导电类型浅掺杂区域，减小浮置扩散区与光电二极管的距离，从而使光生载流子能够更加迅速地从光电二极管传输到浮置扩散区，提高了光生载流子的传输效率。

主权项

一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：A：在第一导电类型半导体衬底内形成第二导电类型区域，从而形成光电二极管，其中，所述第二导电类型区域作为光生载流子收集区，并在所述第一导电类型半导体衬底内形成位于所述光电二极管上方的第一导电类型隔离层；B：形成第二导电类型浅掺杂区域和位于第二导电类型浅掺杂区域下部的第一导电类型浅掺杂区域；所述第二导电类型浅掺杂区域通过所述第一导电类型浅掺杂区域隔离于所述光电二极管的第二导电类型区域；C：通过沉积工艺、图形化工艺形成传输管的栅极结构，所述栅极结构位于第一导电类型半导体衬底上表面；所述栅极结构覆盖所述第二导电类型浅掺杂区的全部区域或部分区域；D：通过掺杂工艺形成具有第二导电类型重掺杂的浮置扩散区，所述浮置扩散区接触于第二导电类型浅掺杂区域。