[发明专利]参考单元的擦除方法在审
| 申请号： | 201310385765.7 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103456362A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 顾靖;张若成 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种参考单元的擦除方法，所述参考单元的擦除方法用于EEPROM存储单元，所述EEPROM存储单元包括结构相同的存储单元和参考单元，所述EEPROM存储单元接收一编程命令后，对所述存储单元进行编程操作，不对所述参考单元进行任何操作，所述EEPROM存储单元接收一擦除命令后，对所述参考单元先后进行编程操作和擦除操作，对所述存储单元进行擦除操作，使参考单元的电流能随存储单元的电流降低而降低，以解决将所述存储单元存储的电流与所述参考单元存储的电流进行比较时，可以更精确地判断各存储单元存储的电流状态是在擦除操作后还是在编程操作后，从而提高芯片的耐久性。 | ||
| 搜索关键词： | 参考 单元 擦除 方法 | ||
【主权项】：
一种参考单元的擦除方法，用于EEPROM存储单元，所述EEPROM存储单元包括结构相同的存储单元和参考单元，所述EEPROM存储单元接收一编程命令后，对所述存储单元进行编程操作，不对所述参考单元进行任何操作，其特征在于，所述EEPROM存储单元接收一擦除命令后，对所述参考单元先后进行编程操作和擦除操作，对所述存储单元进行擦除操作。
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