[发明专利]磁电阻薄膜及其制作方法有效
| 申请号： | 201310371152.8 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103427019A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 赵波;刘玮荪 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种磁电阻薄膜的制作方法，包括在基底上形成绝缘材料层；在绝缘材料层中形成沟槽；在沟槽的底部、侧壁以及所述绝缘材料层的表面形成第一阻挡层；在第一阻挡层上形成第二阻挡层，所述第二阻挡层的厚度小于所述第一阻挡层的厚度；在所述第二阻挡层上形成磁性材料层；对所述磁性材料层进行退火处理，以形成所述磁电阻薄膜。此外本发明还提供了一种磁电阻薄膜，包括：设有沟槽的绝缘材料层、依次设置在绝缘材料层上的第一、第二阻挡层以及磁性材料层。本发明的技术方案具有以下优点：第二阻挡层表面更为平整，有利于后续的磁性材料层的形成，使得所述磁性材料层的晶粒排列更加规律，进而提高所述磁电阻薄膜的各向异性磁电阻相对变化率。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 薄膜 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种磁电阻薄膜的制作方法，其特征在于，包括：在基底上形成绝缘材料层；在所述绝缘材料层中形成沟槽；在所述沟槽的底部、侧壁以及所述绝缘材料层的表面形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层上形成第二阻挡层，所述第二阻挡层的厚度小于所述第一阻挡层的厚度；在所述第二阻挡层上形成磁性材料层；对所述磁性材料层进行退火处理，以形成所述磁电阻薄膜。
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