[发明专利]一种化合物半导体元件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310366032.9 | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103928582A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 敦俊儒;林诣超;江振福;郭政煌 | 申请（专利权）人： | 璨圆光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龙*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化合物半导体元件及其制备方法，包括使用选择性掺杂技术在基板形成掺杂区，使半导体在基板上不同区域的成长速率不同，进而形成具有高低差结构的半导体层，并在之后继续成长化合物半导体元件结构以制作化合物半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体元件，其特征在于，所述化合物半导体元件包括：基板，其具有第一掺杂区以及第二掺杂区；以及半导体层，设置于所述基板上；其中，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区分别有不同掺杂情形。
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