[发明专利]一种化合物半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种化合物半导体元件，其特征在于，所述化合物半导体元件包括：

基板，其具有第一掺杂区以及第二掺杂区；以及

半导体层，设置于所述基板上；

其中，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区分别有不同掺杂情形。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体元件，其特征在于，所述第一掺杂区或所述第二掺杂区的掺杂元素组成包括选自于铝(Al)、氮(N)、镓(Ga)、镁(Mg)、锌(Zn)、铟(In)、铬(Cr)、钛(Ti)、硅(Si)以及氩(Ar)所组成任意组合的其中之一。

3.根据权利要求2所述的化合物半导体元件，其特征在于，所述第一掺杂区的掺杂浓度范围为1×10¹⁴至1×10²¹ (1/cm³)，且所述不同掺杂情形是指所述第二掺杂区的掺杂浓度不小于零，并小于所述第一掺杂区的掺杂浓度。

4.根据权利要求2所述的化合物半导体元件，其特征在于，所述不同掺杂情形是指所述第一掺杂区的掺杂元素组成与所述第二掺杂区的掺杂元素组成不同。

5.根据权利要求1所述的化合物半导体元件，其特征在于，所述不同掺杂情形是指所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的掺杂深度不同。

6.根据权利要求1所述的化合物半导体元件，其特征在于，所述半导体层材料为III-V族化合物。

7.根据权利要求1所述的化合物半导体元件，其特征在于，所述半导体层材料包括Al_x1Ga_y1In_(1-x1-y1)N, 1≧x1≧0, 1≧y1≧0。

8.根据权利要求1所述的化合物半导体元件，其特征在于，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区可为周期性排列或不规则排列。

9.根据权利要求1所述的化合物半导体元件，其特征在于，所述化合物半导体元件还包括缓冲层位于所述基板与所述半导体层之间。

10.根据权利要求1所述的化合物半导体元件，其特征在于，所述半导体层在所述第一掺杂区的成长速率快于在所述第二掺杂区的成长速率。

11.根据权利要求1所述的化合物半导体元件，其特征在于，所述半导体层分别在对应所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的位置有不同高度的高低差结构。

12.根据权利要求11所述的化合物半导体元件，其特征在于，所述高低差结构外形可以为线状、柱状、沟槽状或阶梯状。

13.根据权利要求1所述的化合物半导体元件，其特征在于，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区上的宽度范围为5nm至50μm。

14.根据权利要求1所述的化合物半导体元件，其特征在于，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区上的宽度范围不同。

15.根据权利要求14所述的化合物半导体元件，其特征在于，所述第一掺杂区的宽度范围为100nm至100μm，所述第二掺杂区的宽度范围为5nm至100μm。

16.根据权利要求11所述的化合物半导体元件，其特征在于，所述化合物半导体元件还包括磊晶层，所述磊晶层包括N型氮化物层、主动层及P型氮化物层，且所述磊晶层形成于所述半导体层的柱状的所述高低差结构的周围。

17.根据权利要求1所述的化合物半导体元件，其特征在于，所述化合物半导体元件还包括延伸层，所述延伸层覆盖所述半导体层。

18.根据权利要求17所述的化合物半导体元件，其特征在于，所述延伸层填满所述半导体层。

19.根据权利要求17所述的化合物半导体元件，其特征在于，所述延伸层与所述半导体层之间形成有至少一空间。

20.根据权利要求19所述的化合物半导体元件，其特征在于，所述空间的高度不大于10um。

21.根据权利要求17所述的化合物半导体元件，其特征在于，所述延伸层于所述半导体层的高度较高的部位上成长接合形成，并具有一连续表面。