[发明专利]用于制造第Ⅲ族氮化物半导体的方法

摘要

本发明涉及用于制造第III族氮化物半导体的方法。具有c面主表面的蓝宝石的表面通过ICP干法蚀刻图案化。在氢或氮气氛中在低于700℃的温度下或者在高于800℃至1100℃的温度下对图案化的蓝宝石衬底进行热处理。通过磁控溅射在蓝宝石衬底的在200℃至低于700℃的温度下加热的图案化侧上的表面上形成AIN缓冲层。在缓冲层上，通过MOCVD将具有c面主表面的第III族氮化物半导体层形成为具有1μm至10μm的厚度。

主权项

一种用于制造第III族氮化物半导体的方法，其包括在蓝宝石衬底上通过溅射形成AIN缓冲层之后通过MOCVD生长所述第III族氮化物半导体，其中使用具有c面主表面和通过干法蚀刻图案化为凹形或凸形图形的表面的蓝宝石衬底；以及在低于700℃的温度下、在选自氮气氛和氢气氛中的至少一种中对所述蓝宝石衬底进行热处理之后形成所述缓冲层。