[发明专利]具有内建定位件的半导体组体,及其制造方法无效
申请号: | 201310326180.8 | 申请日: | 2013-07-30 |
公开(公告)号: | CN103594381A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 林文强;王家忠 | 申请(专利权)人: | 钰桥半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 中国台湾台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是有关于一种具有内建定位件的半导体组体,以及其制造方法。根据本发明的一较佳实施态样,该方法包括:使用定位件作为半导体元件的配置导件,将半导体元件设置至介电层上;将加强层贴附于介电层;以及形成覆盖半导体元件、定位件、以及加强层的增层电路,以提供半导体元件的信号路由。据此,定位件可准确的限制半导体元件的设置位置,以避免半导体元件以及增层电路之间的电性连接失败。 | ||
搜索关键词: | 具有 定位 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造具有内建定位件的半导体组体的方法,包括:于一介电层上形成一定位件;使用该定位件作为一半导体元件的一配置导件,将该半导体元件设置于该介电层上,该半导体元件包括具有一接触垫形成于其上的一主动面以及一非主动面,其中该主动面面朝一第一垂直方向、该非主动面面朝与该第一垂直方向相反的一第二垂直方向,且该定位件靠近该半导体元件的外围边缘,且于垂直该第一垂直方向以及该第二垂直方向的侧面方向侧向对准该半导体元件的外围边缘,并于该半导体元件的外围边缘外侧向延伸;将一加强层贴附于该介电层上,其包括将该半导体元件以及该定位件对准于该加强层的一通孔中;以及提供一增层电路,其于该第一垂直方向覆盖该定位件、该半导体元件、以及该加强层,以及包括一第一导电盲孔,该第一导电盲孔直接接触该半导体元件的该接触垫,以提供该半导体元件以及该增层电路间的电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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