[发明专利]超宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管

摘要

本发明公开了一种异质结双极晶体管，尤其是超宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用基区Ge组分由发射结侧向集电结侧逐渐递增的阶梯形分布结构，使器件电流增益随温度变化趋势变缓，可在宽温区内防止器件静态工作点的漂移。同时，所述晶体管还可同时提高器件的特征频率及其随温度变化的敏感性。此外，所述晶体管还采用各个发射极指的指间距由器件两侧向中心处指数增大的非均等指间距对称结构，可有效阻止外侧发射极指热量向中心处的流入，达到削减各发射极指间的热耦合效应、改善器件有源区温度分布的均匀性，进而提高功率晶体管热稳定性的目的。

主权项

一种超宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管，其特征在于：同时具有基区Ge组分由发射结侧向集电结侧呈递增的阶梯形分布结构和发射极指间距由器件两侧向中心处逐渐增大的对称指间距结构；所述的阶梯形基区Ge组分分布Ge含量的表达式为 y = y 2 - y 1 x 1 ( x - x 1 ) + y 1 0 < x < x 1 y 2 x 1 < x < x 2 y 3 - y 2 x 2 - x 1 ( x - x 2 ) + y 2 x 2 < x < x 3 y 3 x 3 < x < W b 其中，Wb为基区宽度，x1、x2、x3为离发射结端的距离，y1、y3分别为基区靠近发射结侧和基区靠近集电结侧的Ge组分含量，y2为基区中x2‑x1区域内对应的Ge组分含量。