[发明专利]超宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管有效
| 申请号： | 201310322896.0 | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN103441141A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 金冬月;胡瑞心;张万荣;鲁东;付强;王肖 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超宽温区 高热 稳定性 微波 功率 sige 异质结 双极晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种超宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管，其特征在于：同时具有基区Ge组分由发射结侧向集电结侧呈递增的阶梯形分布结构和发射极指间距由器件两侧向中心处逐渐增大的对称指间距结构；所述的阶梯形基区Ge组分分布Ge含量的表达式为
其中，Wb为基区宽度，x1、x2、x3为离发射结端的距离，y1、y3分别为基区靠近发射结侧和基区靠近集电结侧的Ge组分含量，y2为基区中x2-x1区域内对应的Ge组分含量。
2.根据权利要求1所述的一种超宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管，其特征在于：所述晶体管的各发射极指间距按照由器件两侧向中心处呈指数增大的对称形式分布。
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