[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的目的之一在于提供一种具有能够充分降低布线间的寄生电容的结构的半导体装置。在与栅电极层重叠的氧化物半导体层的一部分上形成用作沟道保护层的氧化物绝缘层。在与该氧化物绝缘层的形成相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层。覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层将栅电极层与形成在该栅电极层上方或边缘的布线层之间的距离拉大，从而可以降低寄生电容。

主权项

一种半导体装置，包括：绝缘表面上的栅电极层；所述栅电极层上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的含铟的氧化物半导体层，该氧化物半导体层包括隔着所述栅极绝缘层与所述栅电极层重叠的沟道形成区；所述氧化物半导体层上的氧化物绝缘层，该氧化物绝缘层具有第一接触孔和第二接触孔，其中所述氧化物绝缘层覆盖所述氧化物半导体层的边缘；所述氧化物绝缘层上的源电极层，该源电极层通过所述氧化物绝缘层的所述第一接触孔与所述氧化物半导体层电接触；所述氧化物绝缘层上的漏电极层，该漏电极层通过所述氧化物绝缘层的所述第二接触孔与所述氧化物半导体层电接触；所述源电极层和所述漏电极层上的无机绝缘膜；以及所述无机绝缘膜上的像素电极层，该像素电极层与所述源电极层和所述漏电极层中的一方电接触，其中，所述源电极层隔着所述氧化物绝缘层与所述氧化物半导体层的第一端重叠，其中，所述漏电极层隔着所述氧化物绝缘层与所述氧化物半导体层的第二端重叠。