[发明专利]终端保护环及其制造方法有效
| 申请号： | 201310312656.2 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103367398B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 张栋;黄国华;王明杰;吕国琦 | 申请（专利权）人： | 上海北车永电电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司31266 | 代理人： | 成春荣,竺云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种终端保护环及其制造方法。本发明中，终端保护环包括至少一组位于半导体衬底的复合场限环；每组复合场限环包括至少一个N型场限环和至少一个P型场限环，且每个P型场限环至少有一侧连接一个N型场限环形成PN结；N型场限环的深度大于与N型场限环连接的P型场限环深度的三分之一。N型场限环的深度更深，掺杂浓度分布更平缓，PN结面积更大，使场限环表面的电场分布更均匀，进而有效提高器件的高压特性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 终端 保护环 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种终端保护环，其特征在于，包括至少一组位于半导体衬底的复合场限环；所述每组复合场限环包括至少一个N型场限环和至少一个P型场限环，且每个所述P型场限环至少有一侧连接一个所述N型场限环形成PN结；所述N型场限环的深度大于与所述N型场限环连接的所述P型场限环的深度。
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