[发明专利]一种用于光催化的氧化锌掺杂氧化钛薄膜的制备方法有效
申请号: | 201310264270.9 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN103361631A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 姜来新;尹桂林;何丹农 | 申请(专利权)人: | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40 |
代理公司: | 上海东方易知识产权事务所 31121 | 代理人: | 唐莉莎 |
地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种用于光催化的氧化锌掺杂氧化钛薄膜的制备方法,包括以下步骤:20hPa以下的低真空并加热到100~200℃,清洗反应腔;将衬底清洗,吹干,将前驱体四(二甲氨基)钛通入反应腔脉冲时间3秒,清洗;水蒸汽脉冲,再清洗水蒸汽,至此完成一个循环的氧化钛的沉积;将前驱体二乙基锌通入2秒脉冲时间,清洗;通入水蒸汽脉冲4秒,清洗,至此完成一个循环的氧化锌的沉积;多个沉积氧化钛的循环和1个沉积氧化锌的循环组成一个大循环,在完成多个大循环后即完成氧化锌掺杂氧化钛薄膜沉积过程,然后在450℃的温度下退火2小时。薄膜厚度和成分能精确可调,具有优异的光学透过率和光催化效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 光催化 氧化锌 掺杂 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于光催化的氧化锌掺杂氧化钛薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,用真空泵将反应腔抽到20hPa以下的低真空并加热到100~200℃,再用纯度为5N的高纯氮清洗反应腔;步骤二,将衬底在高纯去离子水中超声清洗10‑30分钟,用高纯氮枪吹干,保持玻璃衬底有清洁的表面;步骤三,将前驱体四(二甲氨基)钛通入反应腔脉冲时间3秒,清洗四(二甲氨基)钛的脉冲时间为8秒;然后通入4秒的水蒸汽脉冲,再用10秒脉冲时间清洗掉多余的水蒸汽,至此完成一个循环的氧化钛的沉积;步骤四,将前驱体二乙基锌通入2秒脉冲时间,清洗脉冲时间为6秒;通入水蒸汽脉冲4秒,清洗脉冲时间10秒,至此完成一个循环的氧化锌的沉积;步骤五,多个沉积氧化钛的循环和1个沉积氧化锌的循环组成一个大循环,在完成多个大循环后即完成氧化锌掺杂氧化钛薄膜沉积过程,然后在450℃的温度下退火2小时。
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- 本实用新型公开了一种能够提高硅片镀膜质量和效率的氧化铝膜制备装置。该装置包括设置有炉门的真空沉积室,真空沉积室内设有石墨舟,真空沉积室上设有进气口与排气口,进气口上连接有用于通入制程气体的导气管,排气口上连接有真空泵,真空泵的出口连接有尾排管,通过在进气口与进气主管之间设置进气布气装置,排气口与排气主管之间设置排气布气装置,这样从进气布气和排气布气两方面同时控制制程气体的进入和流出,可以最大限度的保证每个硅片附近的混合制程气体的浓度和量都近似一致,这样每个硅片表面形成的氧化铝膜厚度都会更加均匀,可以大大提高硅片镀膜的质量和效率。适合在太阳能电池硅片加工设备领域推广应用。
- 从有机氨基硅烷前体制备氧化硅薄膜的方法-201310137899.7
- H·思里丹达姆;萧满超;雷新建;T·R·加夫尼 - 弗萨姆材料美国有限责任公司
- 2007-05-23 - 2019-05-17 - C23C16/40
- 本发明涉及一种通过CVD在底物上沉积氧化硅层的方法。其中烷基具有至少两个碳原子的有机氨基硅烷前体在氧化剂存在下的反应允许形成氧化硅薄膜。所述的有机氨基硅烷类化合物由下式表示:二异丙基氨基硅烷的用途是形成氧化硅薄膜的优选前体。
- 制备铝镓酸铋薄膜的气体脉冲序列-201710579276.3
- 宋长青;王志亮;尹海宏 - 南通大学
- 2015-11-11 - 2019-05-14 - C23C16/40
- 一种制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜的气体脉冲序列,由有机铋源气体脉冲、有机铝源气体脉冲、有机镓源气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲组成,在一个生长周期中,各气体脉冲数量为4的倍数且不小于12,有机铋源气体脉冲和有机铝源气体脉冲的数量之和等于氧前驱体脉冲的数量,有机铋源气体脉冲、有机铝源气体脉冲和氧前驱体气体脉冲的数量之和等于惰性气体脉冲的数量,在任意一个有机铋源气体脉冲或氧前驱体气体脉冲或有机铝气体脉冲的之前或之后,都具有一个惰性气体脉冲;在任一个有机铋源气体脉冲或有机铝气体脉冲的次邻近处,都还具有一个氧前驱体气体脉冲。可以实现Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜生长厚度的精确可控。
- 用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔-201710579316.4
- 王志亮;尹海宏;宋长青 - 南通大学
- 2015-11-11 - 2019-05-03 - C23C16/40
- 一种用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔,包括有多个分隔空间,分别用于通入铋前驱体气体、镓前驱体气体、氧前驱体气体、惰性气体;BiGaO3薄膜材料采用前驱体自限制性表面吸附反应得到,化学吸附反应在真空反应腔中进行。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法,可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控,且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于各种气体的通入是连续不断、且流速恒定,薄膜的厚度仅取决于衬底转过的次数,工艺变得极为简单、可靠。
- 一种原子层沉积装置-201811637385.7
- 李丙科 - 无锡松煜科技有限公司
- 2018-12-29 - 2019-04-30 - C23C16/40
- 本发明公开了一种原子层沉积装置,包括安装台、加热腔室和气体过滤装置,在所述安装台设置有预热腔。本发明通过将载片舟及其托架结构设计为水平结构,能够使得放置在载片舟本体内凹槽内的硅片的背面不会被镀上Al2O3膜的工艺,且在后续丝网印刷的工艺过程中只需要使用普通的浆料即能达到较佳的效果,大大降低了生产成本;通过将硅片预先加热到较高温度有利于进入后续的加热腔室时硅片快速升温到预定温度,且有助于Al2O3成膜效果。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的