[发明专利]多晶硅的制作方法无效
| 申请号： | 201310251372.7 | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104229802A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 潘龙祥 | 申请（专利权）人： | 潘龙祥 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212000 江苏省镇江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅的制作方法，属于太阳能硅片制作技术领域。本发明通过下述技术方案来实现：将石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅；把工业硅粉碎并在流化床反应器中，用无水氯化氢(HCl)与之反应，生成三氯氢硅(SiHCl3)，反应温度为300度，反应形成气态混合物(H2，HCl，SiHCl3，SiCl4，Si)；将气态混合物过滤硅粉，冷凝SiHCl3、SiCl4，气态H2，HCl返回到反应中或排放到大气中，然后分解冷凝物SiHCl3、SiCl4，净化三氯氢硅；净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。本发明多晶硅的制作方法的优点是节能降耗显著、成本低、质量好、采用综合利用技术，对环境不产生污染，具有明显的竞争优势。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制作方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅的制作方法，其特征在于包括如下步骤：（1）将石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅；（2）把工业硅粉碎并在流化床反应器中，用无水氯化氢(HCl)与之反应，生成三氯氢硅(SiHCl3)，反应温度为300度，反应形成气态混合物(Н2， НС1， SiНС13，SiC14，Si)；（3）将气态混合物过滤硅粉，冷凝SiНС13，SiC14，而气态Н2，НС1返回到反应中或排放到大气中，然后分解冷凝物SiНС13，SiC14，净化三氯氢硅；（4）净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于潘龙祥，未经潘龙祥许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310251372.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
