[发明专利]多晶硅棒在审
| 申请号： | 201310247464.8 | 申请日： | 2013-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN103510156A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 海东良一 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B13/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过FZ法使多晶硅棒单晶化时，不会发生错位且能够稳定地进行单晶化时的控制。多晶硅棒（11）具有多晶硅构成的种棒（11a）、以及在该种棒（11a）的外周面通过CVD法析出的多晶硅析出体（11b）。该多晶硅棒（11）被用作通过FZ法制备硅单晶的原料。另外，多晶硅棒（11）的直径为77mm以下，用光学显微镜以相对于种棒（11a）的轴线正交的截面观察多晶硅棒（11）时，长度为288μm以下且上述截面中的占有面积比例为78%以上的针状结晶在多晶硅析出体（11b）中以种棒（11a）为中心放射状地均匀分布。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 | ||
【主权项】：
一种多晶硅棒，具有多晶硅构成的种棒、以及在该种棒的外周面通过CVD法析出的多晶硅析出体，被用作通过FZ法制备硅单晶的原料，其特征在于，所述多晶硅棒的直径为77mm以下，对所述多晶硅棒，用光学显微镜观察相对于所述种棒的轴线正交的截面时，长度为288μm以下且所述截面中的占有面积比例为78%以上的针状结晶在所述多晶硅析出体中以所述种棒为中心放射状地均匀分布。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱综合材料株式会社，未经三菱综合材料株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310247464.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 多掺杂硅锭的制备方法、多掺杂硅锭和硅片-201910735093.5
- 明亮;段金刚;黄美玲;刘福刚 - 湖南红太阳光电科技有限公司
- 2019-08-09 - 2019-11-12 - C30B29/06
- 本发明公开了一种多掺杂硅锭的制备方法、多掺杂硅锭和硅片，该制备方法包括以下步骤：将硅料、硼硅合金、磷硅合金和镓合金混合，得到混合物料，其中混合物料中硅、硼、磷、镓的浓度比为1︰5.1×10‑8～1.1×10‑6︰6.4×10‑10～3.1×10‑6︰2.0×10‑9～4.2×10‑5；所得混合物料进行熔化、再结晶和退火冷却，得到多掺杂硅锭。多掺杂硅锭由上述制备方法制得。硅片由上述多掺杂硅锭制得。本发明制备方法制得的多掺杂硅锭，硼溶度较低，具有电阻率分布均匀性好、少子寿命长等优点，由此制备的太阳电池光电转换效率更高，光致衰减率更低，对于实现太阳电池的广泛应用具有十分重要的意义。
- 一种多晶硅铸锭装置-201920068075.1
- 罗鸿志;何亮 - 赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
- 2019-01-15 - 2019-11-12 - C30B29/06
- 本实用新型提供了一种多晶硅铸锭装置，包括坩埚、设置在所述坩埚侧壁外围的坩埚护板和设置在所述坩埚侧壁上沿的陶瓷板，所述坩埚具有第一容置腔，所述陶瓷板形成与所述第一容置腔贯通的第二容置腔，所述陶瓷板的上沿高于或齐平于所述坩埚护板的上沿；陶瓷板的设置隔绝了坩埚中的硅料在熔化过程中产生的SiO与坩埚护板的接触，避免了CO的生成，进而有效避免了硅锭中碳含量的增加，提高了多晶硅的质量。
- 一种位错密度低、优质晶粒占比高的全融高效多晶硅锭制备方法-201910856425.5
- 刘世龙;张志强;王剑;王艺澄 - 江苏美科硅能源有限公司
- 2019-09-11 - 2019-11-05 - C30B29/06
- 本发明公开了一种位错密度低、优质晶粒占比高的全融高效多晶硅锭制备方法，通过将筛选过尺寸的多晶籽晶平铺在坩埚底部的氮化硅涂层上，采用按压的方式，使多晶硅籽晶能够较好的穿透氮化硅涂层，穿透的孔隙大小比较均匀，因此可以形成尺寸较小、大小均匀、位错源少的全融高效多晶硅锭。
- 单晶硅锭及其制造方法以及单晶硅晶片-201810360583.7
- 原田和浩;降屋久 - 胜高股份有限公司
- 2018-04-20 - 2019-10-29 - C30B29/06
- 本发明提供一种没有由晶体引起的缺陷、且如铁元素那样的金属元素的污染度小、电气特性优异的单晶硅锭及其制造方法以及单晶硅晶片。所述单晶硅锭通过CZ法培育，并且不存在空位型点缺陷的凝集体及间隙硅点缺陷的凝集体，所述单晶硅锭的特征在于，铁污染浓度为2×109atoms/cm3以下。
- 一种利用八边形铸锭热场铸造单晶的方法及铸造单晶硅锭-201910717092.8
- 胡动力;张华利;陈红荣;游达 - 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
- 2019-08-05 - 2019-10-29 - C30B29/06
- 本发明涉及一种利用八边形的晶硅铸锭的热场结构铸造单晶硅锭的方法及制得的铸造单晶硅锭，热场结构包括炉体、设置在所述炉体内的八边形的坩埚，所述坩埚外设置有护板、加热系统和保温系统，所述炉体还设有支撑所述坩埚和护板的导热块，所述方法利用上述热场结构制备铸造单晶硅锭，采用该八边形热场结构，可在同样规格的炉体内提高装料量，且热场内部的温度更加均匀，同时改善了边角硅锭质量，提升了铸造单晶硅锭的良率。
- 晶体硅铸锭装置-201822063644.1
- 周硕 - 阿特斯阳光电力集团有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
- 2018-12-10 - 2019-10-29 - C30B29/06
- 本实用新型提供了一种晶体硅铸锭装置，其包括：用于放置硅料的坩埚、设于所述坩埚四周的护板、设于所述护板外周的加热器以及盖设于所述护板和所述坩埚上方的盖板，所述加热器用于加热熔化所述硅料，所述坩埚和所述护板之间设置有第一隔离板。本实用新型的通过在所述坩埚及护板之间设置第一隔离板，隔绝坩埚与护板之间的反应，从而降低硅料摄入碳的量，达到降低多晶硅产品替位碳含量的目的。
- 一种太阳能电池用N型多晶硅及其生产方法-201710044868.5
- 星野政宏;张乐年 - 台州市一能科技有限公司;张乐年
- 2017-01-21 - 2019-10-25 - C30B29/06
- 本发明提供了一种太阳能电池用N型多晶硅及其生产方法，属于半导体技术领域。它解决了现有太阳能电池用N型多晶硅电阻率差值大的问题。本太阳能电池用N型多晶硅硅锭或者N型多晶硅硅片，表面上距离为L的两点之间的检测电阻率为检测值R，在N型多晶硅硅锭或者N型多晶硅硅片表面上任意两处检测值R的差值小于或者等于3％；本太阳能电池用N型多晶硅的生产方法包括备料、浇铸、辐照、切割等步骤。本纸杯具有较高的强度和较好的防烫效果，本太阳能电池用N型多晶硅硅片或N型多晶硅硅锭的电阻率差值小，加工成的太阳能电池片可以集中分布在高光电转换效率的范围内，具有更高的光电转换效率。
- 一种铸锭用籽晶、晶体硅的铸锭方法和晶体硅-201910768884.8
- 闫灯周;刘俊辉;郭志球 - 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
- 2019-08-20 - 2019-10-22 - C30B29/06
- 本申请提供一种晶体硅的铸锭方法，包括：将籽晶铺设于坩埚底部；其中，籽晶包括硅颗粒料和硅粉；硅颗粒料与硅粉的质量比为1.5～5，包括端点值；硅颗粒料的粒径为100～300μm，包括端点值；硅粉的粒径为10～50μm，包括端点值；在籽晶上方设置熔融状态的硅料，控制坩埚底部温度以便硅料在籽晶基础上长晶；当硅料全部结晶完成后，退火冷却得到晶体硅。可见，应用本申请提供的籽晶在提高了形核点密度的同时，籽晶熔化时，硅颗粒料和硅粉大小相差较大，因此存在一定的间隙，使渗硅现象较容易产生，提高了引晶质量，因此，减小硅锭底部晶粒的尺寸并保证晶粒的大小均匀性。本申请同时还提供了一种铸锭用籽晶和晶体硅，均具有上述有益效果。
- 一种减少多晶硅锭或铸造单晶锭氧含量和杂质点的装料方法-201910782125.7
- 刘世龙;张志强;王艺澄 - 江苏美科硅能源有限公司
- 2019-08-23 - 2019-10-18 - C30B29/06
- 本发明公开了一种减少多晶硅锭或铸造单晶锭氧含量和杂质点的装料方法，采用边皮倾斜设置在坩埚四周内壁或硅块铺设在坩埚四周内侧的方法，通过设置一定间隙，减少硅液和坩埚接触反应产生氧的数量，同时也避免硅液向下流延时对坩埚侧壁上氮化硅涂层的冲刷，减少氮化硅脱落的风险，降低多晶硅锭中氮化硅杂质的数量，减少硅锭中因氮化硅导致硅原子错排而产生的位错。
- 区熔硅单晶收尾方法和拉制方法-201910571165.7
- 袁静;关树军;陈辉 - 北京天能运通晶体技术有限公司
- 2019-06-28 - 2019-10-11 - C30B29/06
- 本申请涉及一种区熔硅单晶收尾方法和拉制方法，其中收尾方法包括：在当前生长单晶体的工艺达到结束等径生长并开启收尾的条件时，关闭等径生长操作，控制拉制单晶体的区熔单晶炉的上轴和下轴停止下降，并降低功率；在单晶固液交界面开始收缩时，控制下轴开启下降，并在单晶收尾腰开始变细时，控制上轴开启下降，并继续降低功率预设时间；反复执行上述操作，直至达到预设条件后，控制上轴开始上升，并在单晶固液交界面的直径缩小至第一预设数值时，将多晶原料与单晶体分离。其相较于相关技术中的慢收尾方式，既可以有效解决单晶位错的问题，同时还可以有效降低生产成本，提高单晶的成品率。
- 一种硅芯铸锭炉用保温筒提升装置-201821957145.0
- 唐凌翔 - 浙江晶阳机电有限公司
- 2018-11-26 - 2019-10-11 - C30B29/06
- 本实用新型公开了一种硅芯铸锭炉用保温筒提升装置，包括安装支架，安装支架包括第一安装支架、第二安装支架；第一安装支架上端安装第一直线模组，下端安装第一T型转向箱，第一T型转向箱具有位于水平向的第一输入轴、第一输出轴和位于竖直向的第二输出轴，第二输出轴连接第一直线模组的丝杆；伺服马达，伺服马达的输出轴连接第一T型转向箱的第一输入轴；提升杆，提升杆包括第一提升杆、第二提升杆，第一提升杆一端与保温筒固定连接，另一端固定连接第一直线模组的滑块，第二提升杆一端与保温筒固定连接，另一端固定连接第二直线模组的滑块。提高作业的简单化，降低劳动强度和成本，彻底解决了原技术作业产生的传动轴易卡死、结晶失败的现象。
- 一种带有移动升降装置的硅芯铸锭炉-201821957396.9
- 唐凌翔 - 浙江晶阳机电有限公司
- 2018-11-26 - 2019-10-11 - C30B29/06
- 本实用新型公开了一种带有移动升降装置的硅芯铸锭炉，包括支架，支架上固定安装有上炉体；下炉体上炉体和下炉体为分体式结构；驱动机构，驱动机构用于驱动所述的下炉体由支架的任一侧运动至上炉体正下方与上炉体配合。硅芯铸锭炉体使用驱动机构也即升降移动装置的作用如下：在硅芯铸锭炉作业过程中，通过将硅芯铸锭炉下炉体升降和移动，方便取出铸锭好的硅芯和向石英坩埚内投料，为作业提供了简单快捷的操作方法，同时提高了作业的时效性。
- 一种一炉多用的硅芯铸锭炉-201821957598.3
- 唐凌翔 - 浙江晶阳机电有限公司
- 2018-11-26 - 2019-10-11 - C30B29/06
- 本实用新型公开了一种一炉多用的硅芯铸锭炉，包括支架，支架上固定安装有炉体，炉体内由炉体内壁向内依次设置有保温板层、加热层、石墨护板或石墨坩埚、石英坩埚；炉体包括上炉体、下炉体，上炉体和下炉体为分体式结构；支架至少有一个侧壁为开口结构侧；横向导向机构，纵向导向机构，下炉体固定在纵向导向机构上。在硅芯铸锭过程中，通过升降移动装置的纵向导向机构将下炉体与上炉体分离，利用横向导向机构将下炉体由支架内经开口结构运至支架外，从而对下炉体内的石英坩埚进行更换，以达到铸锭不同规格的硅芯，同时还可以铸锭4根尺寸一致的多晶硅锭，实现一炉多用。
- 多晶硅铸锭热场结构、多晶硅铸锭炉和多晶硅锭-201822270470.6
- 李建敏;付志斌;周成;何亮 - 赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
- 2018-12-29 - 2019-10-08 - C30B29/06
- 本实用新型提供了一种多晶硅铸锭热场结构，包括坩埚、热交换台、护板、加热器和隔热笼，所述坩埚设于所述热交换台上，所述坩埚的外围依次套设所述护板和所述加热器，所述坩埚、所述热交换台、所述护板和所述加热器均设于所述隔热笼内，所述坩埚截面形状为正N边形，N为10‑30的正整数。该多晶硅铸锭热场结构可以有效改善坩埚中角部的温度分布，避免热量不均匀致使对流不佳，大大提升制得的多晶硅块的质量。本实用新型还包括多晶硅铸锭炉和多晶硅锭。
- 一种新型多晶硅铸锭炉坩埚侧边护板的改进装置-201821670380.X
- 刘长辉;刘郭军;郭宽新;方圆;刘瑞柱;张永坦;赵广飞;刘攀;马辉;李富刚 - 河南盛达光伏科技有限公司
- 2018-10-16 - 2019-09-27 - C30B29/06
- 本实用新型公开一种新型多晶硅铸锭炉坩埚侧边护板的改进装置，包括石英坩埚，其特征在于：所述石英坩埚为圆筒状结构，所述石英坩埚的底部设有圆盘状的石墨材质的石墨底板，所述石英坩埚的外侧设有圆管状的石墨护板，所述石墨护板的外侧设有石墨隔热条，所述石英坩埚的内部可放置有多晶硅材料，本实用新型对多晶硅晶体生长过程中的固液界面改进得到微凸的固液界面，微凸的固液界面既有利于竖直向上的多晶硅晶粒的生长，也有利于杂质向硅锭边缘排出，从而可以提高晶锭的晶体质量，经试验，使用本实用新型，光电转换效率可以提高0.05%左右，而且周期也能下降，提高了生产效率，节约了生产成本，提高了企业效益。
- 一种晶棒头部的防护装置-201821941899.7
- 霍志强;高润飞;马国瑞;陈培杰;郭谦;许建;刘有益;王凯 - 内蒙古中环光伏材料有限公司
- 2018-11-23 - 2019-09-24 - C30B29/06
- 本实用新型提供一种晶棒头部的防护装置，包括套筒、连接杆、紧固装置和固定装置，套筒与连接杆连接，紧固装置设于连接杆上，固定装置与连接杆连接。本实用新型的有益效果是结构简单，使用方便，设有防护套筒和紧固装置，对晶棒头部进行防护，同时使得该晶棒头部防护装置能够安装在晶棒上，对晶棒头部进行防护，同时，有效保护作业人员在操作过程不会被晶棒头部划伤或被晶棒烫伤。
- 铸锭装置-201822172328.8
- 陈志军;陈伟;李林东;王全志;周硕;邢国强 - 阿特斯阳光电力集团有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
- 2018-12-24 - 2019-09-24 - C30B29/06
- 本实用新型提供了一种铸锭装置，其包括用于放置硅料的坩埚及用以封闭所述坩埚内收容空间的盖板，所述盖板包括相贴合并且可拆卸连接的上盖板和下盖板，所述上盖板的抗弯强度高于所述下盖板的抗弯强度，所述下盖板的耐腐蚀性高于所述上盖板的耐腐蚀性。本实用新型的通过采用上盖板和下盖板组合的盖板，增加了盖板整体的刚性，盖板使用寿命增加，进而增加铸锭装置的使用寿命。
- 一种化学气相沉积法制备多晶硅靶材的方法及其装置-201910640478.3
- 陈洪建;杜森;张恩怀 - 河北工业大学
- 2019-07-16 - 2019-09-20 - C30B29/06
- 本发明为一种化学气相沉积法制备多晶硅靶材的方法及其装置。该方法包括以下步骤：通过石墨电极将金属管加热到1050～1100℃，将高纯SiHC13气和高纯氢气组成的混合气喷出送入还原炉，维持还原炉内压强0.1～0.2MPa不变，金属管外表面发生化学气相沉积反应生成多晶硅。本发明综合考虑化学气相沉积法和磁控溅射的溅射源的结构，获得直接接合在衬底管上的多晶硅靶材。
- 一种硅制半导体材料用单晶炉-201910680447.0
- 不公告发明人 - 黎兴才
- 2019-07-26 - 2019-09-20 - C30B29/06
- 本发明涉及半导体加工技术领域，且公开了一种硅制半导体材料用单晶炉，所述炉体的内壁安装有软铁棒，所述软铁棒上卷接有感应线圈，所述软铁棒的端部固定连接有磁力圈，所述石墨坩埚的外部安装有磁环，所述磁力圈的直径大于磁环的直径，所述磁力圈与磁环构成磁力区。该硅制半导体材料用单晶炉，通过软铁棒与感应线圈之间的配合，使得磁力圈上的磁力随提拉速度不断增加，使得坩埚在上升时，始终与籽晶轴保持同步，使得提拉晶体直径与坩埚内部相等，提升晶体的提拉质量，减小晶体在提拉时的损耗率，同时使得坩埚始终位于籽晶轴的中部，使得坩埚保持平稳的状态上升，增加液面在上升时的稳定，增加晶体在提拉时的稳定性。
- 硅芯方锭铸锭装置及其铸造工艺-201910584637.2
- 殷硕;武东伟;杨晓忠 - 江阴东升新能源股份有限公司
- 2019-07-01 - 2019-09-17 - C30B29/06
- 本发明涉及一种硅芯方锭铸锭装置，包括石墨块，所述石墨块上设置有定向导气块，所述定向导气块上设置有坩埚，所述坩埚外侧设置有定位块，所述坩埚外侧设置有加热器，所述加热器外侧设置有保温层，所述保温层外侧设置有炉体，所述定向导气块包括导气块本体，所述导气块本体的横向中轴线上间隔设置有五个通气口，其中，最左边一个通气口设置为出气口，其余四个通气口均设置为进气口，所述导气块本体的正面设置有冷却槽，所述冷却槽内自左至右依次间隔设置有第一导气凸块、两个前后对称的第二导气凸块以及两个前后对称的第三导气凸块。本发明一种硅芯方锭铸锭装置及其铸造工艺具有利于生产加宽加长型硅芯方锭、冷却均匀、提高产品质量的优点。
- 单晶硅的制造方法-201780079175.8
- 前川浩一;鸣嶋康人;川上泰史;小川福生 - 胜高股份有限公司
- 2017-10-30 - 2019-09-17 - C30B29/06
- 本发明提供一种单晶硅的制造方法，其从含有红磷作为掺杂剂的硅熔液（9）中，通过提拉法而提拉单晶硅（10）并使其生长，单晶硅（10）是直径为200mm的晶片用单晶，直筒直径为201mm以上且230mm以下，直筒开始部中的电阻率为0.8mΩcm以上且1.2mΩcm以下，将单晶硅（10）的肩部形成工序中的至少一部分的单晶硅（10）的晶体转速控制为17rpm以上且40rpm以下。
- 一种单晶硅生产工艺-201910585452.3
- 王楠;王宿;刘学金;段永兵;王军;李佳诚 - 新疆晶科能源有限公司
- 2019-07-01 - 2019-09-13 - C30B29/06
- 本发明为一种单晶硅生产工艺。一种单晶硅生产工艺，所述的单晶硅生产工艺包括以下工序：拆炉、装料、熔料、引晶、放肩、转肩、等径、收尾和停炉；其中，所述的放肩过程的参数设定中，肩部长度与晶体直径匹配，并通过定角度放肩拉速系数来调节拉速，来达到预设的拉晶角度。本发明所述的一种单晶硅生产工艺，通过控制温控器功率按照参数设定进行升降，不采用红外测温仪，完全避免了红外测温仪测温不准导致影响拉晶的情况；新工艺可实现：定角度放肩、去除模拟量异常对拉晶的影响、为后期降本作系统储备的技术效果，还可以减小人工对生产过程的影响，实现自动化生产。
- 一种多晶铸锭炉加热器-201910645556.9
- 欧子杨;金浩;张涛;陈骏;肖贵云;白枭龙;汪沛渊;晏文勇 - 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
- 2019-07-17 - 2019-09-13 - C30B29/06
- 本发明公开了一种多晶铸锭炉加热器，包括用以对硅料加热的顶部加热器和侧部加热器，所述顶部加热器和所述侧部加热器配合形成容置坩埚及硅料的空间；还包括用以驱动所述顶部加热器运动的第一驱动机构和用以驱动所述侧部加热器运动的第二驱动机构，所述第一驱动机构和所述第二驱动机构的运动相互独立。上述多晶铸锭炉加热器便于控制形成有利于硅锭快速长晶成型的微凸热场，且对现有多晶铸锭炉改造较小，节约了改造成本。
- 惰性气体的稳流调节方法、单晶硅的制造方法及单晶硅-201910561681.1
- 潘浩;全铉国 - 西安奕斯伟硅片技术有限公司
- 2019-06-26 - 2019-09-06 - C30B29/06
- 本发明提供一种惰性气体的稳流调节方法、单晶硅的制造方法及单晶硅，应用于拉晶炉，所述调节方法包括：从拉晶炉的副炉室向拉晶炉内通入惰性气体，调节通入所述拉晶炉的副炉室内的惰性气体的流向。根据本发明的稳流装置，可以约束惰性气体流动方向，降低单晶硅棒的摆动幅度，减少单晶生长位错现象发生的几率，避免不纯物对晶棒和热场部件侧壁造成污染和侵蚀。
- 一种液态硅中气泡CVD法生长晶体硅的方法-201910565864.0
- 刘建军 - 刘建军
- 2019-06-17 - 2019-09-06 - C30B29/06
- 一种液态硅中气泡CVD法生长晶体硅的方法，涉及人工晶体技术领域，本发明通过在坩埚(4)中设置硅熔液(5)，然后将三氯氢硅和氢气通过气体分流器(9)从坩埚的中下部或底部进入到熔化的硅熔液中形成若干个气泡，在气泡内氢气还原三氯氢硅生成硅，本发明具有生产效率高、能耗低、成本低等优点，本发明具有生产效率高、能耗低、成本低等优点，是替代现有多晶硅还原生长的有效方法，适合大范围的推广和应用。
- 单晶硅多次加料连续生长的装置和工艺-201910497017.5
- 高文飞 - 苏州亚傲鑫企业管理咨询有限公司
- 2019-06-10 - 2019-09-03 - C30B29/06
- 本发明公开了一种单晶硅多次加料连续生长的装置及工艺，本发明装置借助于第一高频加热线圈和第二高频加热线圈产生的电磁约束力、液硅的表面张力和结晶单晶体的支撑力，将区域熔融的多晶硅限制在一个漏斗状石英坩埚及其流出口缩颈和单晶硅棒顶端的熔融区内；借助于漏斗状石英坩埚中储存熔硅的缓冲，使得在添加新的多晶硅料的间歇时段，不中断单晶硅的连续生长。本发明单晶硅多次加料连续生长的装置及生产工艺可以实现多次加料、不间断拉晶；借助于本发明拉制的单晶硅，同时具备区熔单晶和直拉的优点。
- 多晶硅定向凝固复合装置-201821928233.8
- 羊实;周旭 - 江苏斯力康科技有限公司
- 2018-11-19 - 2019-09-03 - C30B29/06
- 本实用新型公开了多晶硅定向凝固复合装置，包括基板，所述基板上设有复合保护套筒，复合保护套筒内用于容纳放置筒形石墨模具；所述复合保护套筒包括底板、若干曲面侧板和限位环，底板上表面沿周向设有安装槽，安装槽内设有橡胶密封垫，若干曲面侧板的轴向底端过渡配合嵌入安装槽内固定，且任意相邻的两个曲面侧板的轴向侧边相互密封契合使整体呈圆筒形结构，若干曲面侧板构成的圆筒形结构顶部可拆卸套设限位环进行固定；底板上设有冷却盘，冷却盘用于与石墨模具的底部接触。本实用新型提供的定向凝固复合装置极易方便拆装复合保护套筒，方便对复合保护套筒进行清除杂质、检修操作。
- 多晶硅铸锭炉的石墨加热器及多晶硅铸锭炉-201710022956.5
- 郭晓琛;王双丽;田义良;黄春来 - 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
- 2017-01-12 - 2019-08-23 - C30B29/06
- 本发明涉及一种多晶硅铸锭炉的石墨加热器，包括：顶部加热器，包括电阻值相等的两部分及两个石墨电极，所述两个石墨电极按照将所述电阻值相等的两部分并联的方式接线；侧部加热器组件，包括围成一圈且电阻值相等的四部分及四个石墨电极，所述四个石墨电极按照将所述电阻值相等的四部分并联的方式接线。上述石墨加热器，顶部加热器和侧部加热器组件各包括阻值相等若干部分，通过石墨电极实现并联接线，能够保证顶部加热器的每一部分上的电压彼此相等，相同时间内发热量相等；及保证侧部加热器组件的每一部分的电压也彼此相等，相同时间内发热量相等，从而能够在铸锭炉内获得均匀的热场。还提出了一种具有上述加热器的多晶硅铸锭炉。
- 一种铸锭炉-201822175624.3
- 李飞龙;武泉林;黎晓峰;蒋俊峰 - 洛阳阿特斯光伏科技有限公司
- 2018-12-24 - 2019-08-20 - C30B29/06
- 本实用新型公开了一种铸锭炉，其包括坩埚、护板组件和保护圈，护板组件呈环形，护板组件围设于坩埚外周且护板组件的顶端高出于坩埚的顶端；保护圈罩设在护板组件的高出于坩埚的部分的表面上。本实用新型的铸锭炉设置有保护圈，保护圈罩设护板组件的高出于坩埚的部分的表面上，从而能够避免护板组件与坩埚内的高温蒸汽接触，能够保护护板组件、延长护板组件的使用寿命。
- 一种用于磁控直拉单晶的磁体结构及磁控直拉单晶的方法-201810298489.3
- 汤洪明;傅林坚;刘黎明;刘赛波 - 杭州慧翔电液技术开发有限公司
- 2018-03-30 - 2019-08-16 - C30B29/06
- 本发明涉及一种用于磁控直拉单晶的磁体结构及磁控直拉单晶的方法，属于半导体制造技术领域，该磁体结构包括多个串联且周向设置于单晶炉外部的线圈，所述线圈呈两两对应设置，且对应设置的两个线圈以单晶炉的中心对称，每一所述线圈包括同轴设置的主线圈和副线圈，线圈通电时，所述主线圈和所述副线圈内的电流方向相反。本发明通过将线圈设置为主线圈和副线圈，并向主线圈和副线圈通入相反方向的电流，使得副线圈产生的磁场能够有效地抵消主线圈在外部产生的磁场，通过主动屏蔽的方式减小了磁体结构的漏磁场。此外，本发明通过采用主动屏蔽的形式减少漏磁场，降低了磁体结构的重量，节省了磁体结构的制造成本。
- 专利分类
