[发明专利]半导体器件和使用该半导体器件的系统有效
| 申请号： | 201310237789.8 | 申请日： | 2013-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN103516338B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 金泽孝光;秋山悟 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567;H03K17/687 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 高科 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及使用该半导体器件的系统，具有常通型的SiCJFET和常断型的Si型MOSFET。常通型的SiCJFET和常断型的Si型MOSFET级联连接，构成开关电路。根据一个输入信号，常通型的SiCJFET和常断型的Si型MOSFET被控制成具有两个晶体管都设置为截止状态的期间。利用本发明，能够防止级联连接的常通型的JFET和常断型的MOSFET的半导体器件存在因误传导等而被击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 使用 系统 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：一对端子；常断型的硅晶体管，设置有栅极、源极和漏极；和常通型的化合物晶体管，设置有栅极、源极和漏极，其源极到漏极路径经由所述硅晶体管的源极到漏极路径连接在所述一对端子之间，其中，所述硅晶体管和所述化合物晶体管被一个输入信号驱动，以使得具有两个晶体管都处于截止状态的期间，以及在所述一对端子设置为非导通时，所述半导体器件被驱动成：在把所述硅晶体管设置为截止状态之前，把所述化合物晶体管设置为截止状态。
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