[发明专利]用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线有效
| 申请号： | 201310223610.3 | 申请日： | 2013-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103295993A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 天野裕之;三上道孝;冈崎纯一;滨本拓也;中岛伸一郎;山下勉;三苫修一;小野甲介;刘斌;执行裕之 | 申请（专利权）人： | 田中电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;C22C9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王铁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线。在用于球焊的铜线中，改善二次接合性、防止球焊中的芯片破裂以及改善成环性能。在通过将熔融的含有高纯度铜(Cu)、包含0.1至2.0质量％的铂(Pt)以及作为非金属元素的1至10质量ppm的硫(S)和10至150质量ppm的氧(O)及必要时1至5质量ppm的磷(P)的铜-铂合金连续铸造而制备元素线的过程中，不含铂的非常薄的铜层由于偏析而形成，并随后在大气中被氧化而在连续拉丝后的线表面层上形成6至2nm的氧化物膜。作为具有77至105Hv维氏硬度的接合线，均匀的氧化物膜改善了二次接合性，且向基体中添加的元素抑制了球焊期间的动态强度，由此防止了铝飞溅，并且保持了不导致倾斜的静态强度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 装置 中的 连接 合金 | ||
【主权项】：
一种用于在半导体装置中的球焊的铜‑铂合金线，所述铜‑铂合金线是用于半导体装置的铜‑铂二元合金线，所述铜‑铂二元合金线包含铂(Pt)和余量的纯度为99.995质量％以上的铜(Cu)，并且可通过连续拉丝获得，其中，作为金属元素的0.1至2.0质量％的铂(Pt)以及作为非金属元素的1至10质量ppm的硫(S)和10至150质量ppm的氧(O)固溶在所述铜‑铂合金线的铜(Cu)基体中，且6nm以下的氧化物膜覆盖表面层。
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